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ESDA18-1F2的图片

ESDA18-1F2

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 10VWM 20VC 4FLIPCHIP
原厂封装:封装:4-覆晶
优势价格,ESDA18-1F2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ESDA18-1F2的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

ESDA18-1F2是ST意法半导体(STMicroelectronics)旗下TRANSIL系列的一款高性能瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用先进的硅基齐纳技术构建。其核心架构基于一个单向通道的PN结,通过精确的半导体掺杂工艺,实现了在特定反向电压下的雪崩击穿特性。这种设计使其能够为敏感电子线路提供快速、可靠的过压保护,将危险的瞬态电压尖峰钳位在安全水平,从而防止下游集成电路因静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)或其他浪涌事件而损坏。

该器件的一个关键特性是其出色的钳位性能,其反向断态电压典型值为10V,最小击穿电压为16V,而在承受1A(8/20s波形)的峰值脉冲电流时,最大钳位电压仅为20V。这意味着它能将威胁性的高压瞬态迅速且有效地限制在20V以下,为受保护的IC提供了宽裕的安全裕量。其峰值脉冲功率处理能力达到700W,确保了在恶劣电气环境中也能可靠工作。作为一款表面贴装器件,它采用了紧凑的4-WFBGA(Flip-Chip Ball Grid Array)封装,这种封装不仅节省了宝贵的PCB空间,其低寄生电感特性也优化了高速信号的完整性,使其响应速度极快。

在接口与参数方面,ESDA18-1F2设计用于保护单条数据线或电源线,其单向特性明确了阳极和阴极的连接方向。虽然该型号目前已处于停产状态,但其技术规格在通用保护领域仍具有参考价值。对于寻求可靠替代方案或库存支持的客户,可以咨询专业的ST授权代理以获取最新的产品信息和技术支持。其应用场景广泛,尤其适用于需要高等级ESD保护的便携式消费电子产品、通信接口(如USB、HDMI)、以及各类工业控制设备的I/O端口防护。在这些应用中,它能有效抵御人体模型(HBM)和充电设备模型(CDM)的静电冲击,提升终端产品的可靠性和耐用性。

  • 型号:ESDA18-1F2
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:4-覆晶
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 10VWM 20VC 4FLIPCHIP
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):10V
  • 电压 - 击穿(最小值):16V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):20V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):1A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:700W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:-
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:4-WFBGA,FCBGA
  • 供应商器件封装:4-覆晶
  • 想获取ESDA18-1F2的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

ESDA18-1F2是ST意法半导体推出的一款采用4-WFBGA封装的表面贴装TVS二极管。该器件基于齐纳技术,提供单向通道保护,其核心设计旨在为通用电子线路提供高效的瞬态电压抑制。

其技术参数体现了强大的防护能力:典型反向断态电压为10V,最小击穿电压16V,并能在1A的峰值脉冲电流下将电压钳位在最大值20V以内,峰值脉冲功率达700W。这些特性使其能够有效吸收并钳制ESD等瞬态浪涌能量,保护后续电路免受损坏。

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