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ESDA25P35-1U1M的图片

ESDA25P35-1U1M

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 22VWM 41VC 1610
原厂封装:封装:1610
优势价格,ESDA25P35-1U1M的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ESDA25P35-1U1M的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

意法半导体(STMicroelectronics)推出的ESDA25P35-1U1M是一款采用先进硅基工艺制造的瞬态电压抑制(TVS)二极管,属于其高性能ESDA系列。该器件采用紧凑的2-UDFN封装,专为表面贴装应用设计,其核心架构基于优化的齐纳(Zener)二极管技术,能够在纳秒级时间内响应并吸收来自静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)及其他浪涌事件的破坏性能量,从而为下游敏感电路提供可靠的保护屏障。

该TVS二极管具备出色的电气特性,其反向断态电压典型值为22V,最小击穿电压为23.3V,确保了在正常工作电压下的高阻抗状态,对电路影响极小。当遭遇瞬态过压时,它能迅速动作,在35A(8/20s波形)的峰值脉冲电流下,箝位电压最大值被有效限制在41V,其峰值脉冲功率处理能力高达1400W。这种快速响应与高能量吸收能力的结合,使其能够有效抵御IEC 61000-4-2标准规定的ESD冲击(接触放电可达±30kV)。其单向通道设计,使其特别适用于保护直流电源线路或具有明确极性信号的接口。

在接口与参数方面,ESDA25P35-1U1M的工作结温范围宽广,从-55°C到150°C,保证了其在严苛工业环境下的稳定性和可靠性。其小巧的1610封装尺寸(约1.6mm x 1.0mm)极大节省了PCB空间,非常适合高密度板卡设计。对于需要批量采购和稳定供货的客户,可以通过授权的ST芯片代理渠道获取原装正品和技术支持。该器件不专门针对特定电源线路保护,但其通用型设计赋予了广泛的应用灵活性。

基于其稳健的性能,ESDA25P35-1U1M非常适合用于保护各类便携式电子设备、通信接口(如USB、HDMI)、工业控制模块、汽车电子子系统以及消费类电子产品中的敏感IC,防止其因外部瞬态电压事件而损坏,是提升产品可靠性和耐用性的关键元件。

  • 型号:ESDA25P35-1U1M
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:1610
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 22VWM 41VC 1610
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):22V
  • 电压 - 击穿(最小值):23.3V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):41V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):35A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:1400W(1.4kW)
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:2-UDFN
  • 供应商器件封装:1610
  • 想获取ESDA25P35-1U1M的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

ESDA25P35-1U1M是ST意法半导体推出的一款表面贴装TVS二极管,采用2-UDFN封装。其核心功能是为电子线路提供高效的瞬态过压保护,能够吸收高达1400W的峰值脉冲功率,并在35A的8/20s浪涌电流下将电压箝位在最大值41V。

该器件具有22V的反向断态电压和23.3V的最小击穿电压,确保在正常工作时漏电流极低。其单向通道设计适用于直流或极性明确的信号线路保护,工作温度范围覆盖-55°C至150°C,满足工业级应用的可靠性要求。这款通用型TVS二极管是防止ESD和浪涌损坏敏感集成电路的理想选择。

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