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ESDALC6V1-1BU2的图片

ESDALC6V1-1BU2

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 3VWM ST0201
原厂封装:封装:0201
优势价格,ESDALC6V1-1BU2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ESDALC6V1-1BU2的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

ESDALC6V1-1BU2是意法半导体(STMicroelectronics)推出的ESDA系列TRANSIL瞬态电压抑制(TVS)二极管中的一款代表性产品。该器件采用先进的半导体工艺和微型化封装技术,其核心架构基于一个集成的双向齐纳二极管结构,专门设计用于在高速信号线上提供高效的静电放电(ESD)和电气过应力(EOS)保护。其内部保护单元能够对正负两个方向的瞬态过压进行快速响应和能量泄放,确保被保护IC的引脚电压被箝位在安全水平以下。

该器件的一个显著特点是其极低的钳位电压和快速的响应时间。其反向断态电压典型值为3V,而最小击穿电压为6.1V,这意味着在正常工作电压下,器件呈现高阻抗状态,对电路影响微乎其微;一旦遭遇超过击穿电压的ESD脉冲(如IEC 61000-4-2标准规定的8kV接触放电),它能迅速导通,将电压箝位。同时,在1MHz频率下仅5pF的极低电容值是其另一大关键优势,这使得它非常适合用于保护高速数据线,如USB 2.0/3.0、HDMI、天线接口等,而不会引起信号完整性的显著劣化,如信号边沿退化或眼图闭合。

在接口与参数方面,ESDALC6V1-1BU2采用表面贴装型的0201(0603公制)超小型封装,极大地节省了PCB空间,满足了现代便携式电子产品对高密度布线的需求。其工作结温范围覆盖-40°C至125°C,确保了在严苛环境下的可靠性与稳定性。作为一款通用型保护器件,它提供了单通道双向保护功能,用户无需区分信号极性,简化了电路设计和物料管理。对于需要稳定货源和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

该芯片的应用场景十分广泛,主要针对对空间和信号质量都极为敏感的便携式电子设备。它是智能手机、平板电脑、可穿戴设备、数码相机等产品中高速数据端口(如USB-C、DisplayPort)、射频天线、按键及SIM卡接口的理想ESD保护解决方案。其通用型设计也使其适用于各类消费电子、工业控制及通信模块中需要防止因人体静电或感应浪涌导致损坏的敏感电路节点,为提升终端产品的可靠性和电磁兼容性(EMC)表现提供了坚实保障。

  • 型号:ESDALC6V1-1BU2
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:0201
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 3VWM ST0201
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:-
  • 双向通道:1
  • 电压 - 反向断态(典型值):3V
  • 电压 - 击穿(最小值):6.1V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):-
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):-
  • 功率 - 峰值脉冲:-
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:5pF @ 1MHz
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:0201(0603 公制)
  • 供应商器件封装:0201
  • 想获取ESDALC6V1-1BU2的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

ESDALC6V1-1BU2是ST意法半导体生产的一款采用0201微型封装的TVS二极管,属于ESDA系列TRANSIL产品线。该器件专为保护敏感电子接口免受静电放电(ESD)和其他瞬态电压事件损害而设计。

其核心特性包括3V的反向断态电压和6.1V的最小击穿电压,确保在正常工作时近乎透明。最关键的是,它在1MHz频率下仅5pF的超低电容,使其能够应用于高速数据线路(如USB、HDMI)而不影响信号完整性。器件提供单通道双向保护,工作温度范围为-40°C至125°C,适用于空间受限的各类便携式通用电子产品。

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