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ESDALC6V1M6

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 3VWM 6UQFN
原厂封装:封装:6-QFN(1.45x1.0)
优势价格,ESDALC6V1M6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ESDALC6V1M6的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

作为一款专为高速数据线路静电放电(ESD)保护而设计的瞬态电压抑制(TVS)二极管阵列,ESDALC6V1M6采用了紧凑的6引脚UQFN封装,集成了四个独立的单向保护通道。其核心保护机制基于齐纳二极管原理,当线路上的瞬态电压超过其预设的击穿阈值时,器件会迅速响应,形成低阻抗通路,将危险的能量泄放到地,从而将受保护线路上的电压箝位在一个安全的水平。这种架构特别适用于保护对电压敏感的信号引脚,防止因ESD事件导致的损坏或性能下降。

该器件的一个突出特点是其极低的线路电容,典型值仅为12pF(在1MHz条件下测量)。低至12pF的线路电容对于确保高速数据信号(如USB、HDMI、以太网等)的完整性至关重要,因为它最大限度地减少了信号衰减和失真,避免了因保护器件引入的容性负载而导致的信号边沿劣化。同时,其3V的反向断态工作电压6.1V的最小击穿电压,使其能够紧密匹配3.3V及以下低压逻辑电路的正常工作电压范围,在提供可靠保护的同时,不会干扰电路的正常功能。其峰值脉冲功率处理能力为30W,能够有效吸收和耗散瞬态能量。

在电气接口与参数方面,ESDALC6V1M6提供了四个单向通道,每个通道均能独立保护一条I/O线路,适用于多线并行的数据总线。其工作温度范围宽达-40°C至125°C,确保了在严苛工业环境或消费电子全场景下的稳定性和可靠性。表面贴装(SMT)的安装方式与6-UFDFN的超小型封装,使其能够轻松集成到高密度的现代PCB布局中,节省宝贵的板级空间。用户可以通过正规的ST代理渠道获取该产品的技术支持和供货信息。

凭借其低电容、多通道和紧凑封装的综合优势,该器件广泛应用于需要高可靠性ESD保护的通用型电子设备接口。典型应用场景包括智能手机、平板电脑、数码相机等便携式设备的USB 2.0/3.0数据端口、音频接口、按键及侧边开关线路的保护。此外,它也常见于工业控制模块的通信接口(如RS-232、RS-485)、汽车电子的传感器信号线以及各类消费电子主板的I/O连接器附近,为系统提供符合IEC 61000-4-2标准(接触放电可达±8kV,空气放电可达±15kV)的ESD防护能力,提升产品的耐用性和市场竞争力。

  • 型号:ESDALC6V1M6
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:6-QFN(1.45x1.0)
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 3VWM 6UQFN
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:4
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):3V
  • 电压 - 击穿(最小值):6.1V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):-
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):-
  • 功率 - 峰值脉冲:30W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:12pF @ 1MHz
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:6-UFDFN
  • 供应商器件封装:6-QFN(1.45x1.0)
  • 想获取ESDALC6V1M6的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

ESDALC6V1M6是ST意法半导体推出的一款TVS二极管阵列,属于ESDA, TRANSIL产品系列,采用6-UFDFN表面贴装封装。该器件集成了四个单向保护通道,专为保护低压高速数据线路免受静电放电(ESD)和其他电压瞬变事件的损害而设计。

其核心优势在于极低的线路电容(典型值12pF @ 1MHz),这使其能够在不影响信号完整性的前提下,为USB、HDMI等高速接口提供有效保护。器件具有3V的反向断态电压和6.1V的最小击穿电压,精准匹配3.3V及以下逻辑电平,峰值脉冲功率为30W。其宽工作温度范围(-40°C ~ 125°C)确保了在各类通用应用环境中的可靠性。

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