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ESDALC8-1BF4的图片

ESDALC8-1BF4

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 6VWM 16VC 0201
原厂封装:封装:0201
优势价格,ESDALC8-1BF4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ESDALC8-1BF4的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

ESDALC8-1BF4是意法半导体(STMicroelectronics)ESDA系列中一款采用先进硅基工艺制造的瞬态电压抑制(TVS)二极管。该器件采用齐纳二极管架构,集成了一个双向保护通道,其核心设计目标是在极小的封装尺寸内提供高效、可靠的静电放电(ESD)及瞬态过压保护。其内部结构经过优化,能够确保在纳秒级时间内对异常电压尖峰做出响应,将受保护线路的电压箝位在安全水平,从而防止下游精密集成电路因电压应力而损坏。

该器件的一个显著特性是其极低的动态电阻与快速的响应时间,这使其能够有效吸收高达8.6A(8/20s波形)的峰值脉冲电流,对应的峰值脉冲功率为165W。在6V的反向断态电压下,器件呈现高阻抗状态,对电路正常工作几乎无影响;当遭遇过压事件时,其击穿电压最低为7V,并能在标准测试条件下将箝位电压有效限制在16V以下。此外,其电容值在1MHz频率下仅为30pF,这一低寄生电容特性对于保护高速数据线(如USB、HDMI、天线接口)至关重要,能最大限度地减少对信号完整性的影响,避免信号衰减和失真。

在接口与参数方面,ESDALC8-1BF4设计为表面贴装型,采用微小的0201(0603公制)封装,极大地节省了PCB空间,非常适合高密度板卡设计。其工作结温范围宽达-40°C至125°C,确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。作为一款通用型保护器件,它不具备特定的电源线路保护功能,但其性能参数使其成为各类I/O端口、数据线及低电压信号线路保护的理想选择。用户可以通过正规的ST代理渠道获取该产品,以确保元器件的正宗来源与技术支持。

鉴于其综合性能,该芯片广泛应用于对空间和信号质量有严格要求的现代电子设备中。典型应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的射频天线、按键、侧边连接器的ESD保护;也可用于保护便携式医疗设备、工业传感器中的低速数据接口;在物联网(IoT)设备中,它能有效保护各类无线通信模块(如蓝牙、Zigbee)的射频前端,提升设备在复杂电磁环境中的鲁棒性。其通用性、小尺寸和高性能的平衡,使其成为工程师在电路板初级和次级保护设计中的常用元件。

  • 型号:ESDALC8-1BF4
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:0201
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 6VWM 16VC 0201
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:-
  • 双向通道:1
  • 电压 - 反向断态(典型值):6V
  • 电压 - 击穿(最小值):7V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):16V(典型值)
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):8.6A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:165W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:30pF @ 1MHz
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:0201(0603 公制)
  • 供应商器件封装:0201
  • 想获取ESDALC8-1BF4的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

ESDALC8-1BF4是ST意法半导体推出的一款采用0201超小型封装的TVS二极管,专为保护敏感电子电路免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件损害而设计。该器件基于齐纳原理,提供单一双向保护通道,其核心优势在于将高效的箝位能力与极低的线路影响相结合。

器件在6V反向断态电压下保持关断,击穿电压低至7V,并能在标准条件下将过压尖峰箝位在16V以下,同时可耗散高达165W的峰值脉冲功率。其关键卖点之一是在1MHz下仅30pF的超低电容,这使其非常适合保护高速数据线路而不引起信号劣化。结合-40°C至125°C的宽工作温度范围,ESDALC8-1BF4为空间受限的便携式、可穿戴及物联网设备中的通用I/O接口提供了可靠、紧凑的ESD保护解决方案。

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