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ESM6045DV

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN DARL 450V 84A ISOTOP
原厂封装:封装:ISOTOP
优势价格,ESM6045DV的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ESM6045DV的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

ESM6045DV是ST意法半导体推出的一款高性能NPN达林顿功率晶体管,采用坚固的ISOTOP封装,专为高电压、大电流的严苛工业应用环境而设计。其核心架构基于达林顿对管配置,这种结构通过两级晶体管的直接耦合,实现了极高的电流增益,使得在较小的基极驱动电流下即可控制极大的集电极负载电流,显著简化了前级驱动电路的设计复杂度并提升了整体系统的可靠性。

该器件集成了多项关键特性以应对高功率场景的挑战。高达450V的集射极击穿电压使其能够从容应对工业电机驱动、不间断电源(UPS)以及焊接设备中常见的电压尖峰和反电动势冲击。84A的最大连续集电极电流250W的最大功耗能力,则确保了其在处理大功率负载时的稳定性和耐久性。其饱和压降在4A基极电流、70A集电极电流的典型工作条件下仅为1.35V,这意味着在导通状态下的功率损耗被控制在较低水平,有助于提升系统能效并减少散热需求。此外,高达150°C的结温(TJ)工作范围,赋予了其在高温环境下稳定运行的鲁棒性。

在电气参数方面,ESM6045DV在70A集电极电流、5V集射极电压下的最小直流电流增益(hFE)为120,这一高增益值是其达林顿架构的直接体现,有效降低了对驱动信号电流的要求。其底座安装的ISOTOP封装不仅提供了卓越的机械强度和电气隔离性能,其优化的热设计也极大地方便了与外部散热器的连接,确保热量能够高效导出。用户可以通过授权的ST代理获取该器件的完整技术规格、应用笔记以及设计支持。

凭借其出色的耐压、载流和功率处理能力,这款晶体管非常适合应用于对可靠性和功率密度有极高要求的领域。典型应用包括工业电机控制器、大功率开关电源、音频功率放大器以及各类电感性负载的驱动电路。尽管该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和经过验证的性能,使其在现有系统的维护、备件更换或特定长期供货项目中依然具有重要价值,是工程师在构建高可靠性功率开关解决方案时的经典选择之一。

  • 型号:ESM6045DV
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:ISOTOP
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN DARL 450V 84A ISOTOP
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):84 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):450 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):1.35V @ 4A,70A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):-
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):120 @ 70A,5V
  • 功率 - 最大值:250 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:ISOTOP
  • 供应商器件封装:ISOTOP
  • 想获取ESM6045DV的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

ESM6045DV是ST意法半导体生产的一款NPN达林顿功率晶体管,采用ISOTOP封装,专为高功率开关应用设计。其核心卖点在于高达450V的集射极击穿电压84A的最大集电极电流,结合250W的最大功耗能力,使其能够胜任严苛的工业环境。

该器件在70A、5V条件下的最小直流电流增益为120,体现了其达林顿结构的高驱动效率,饱和压降低至1.35V @ 4A, 70A,有助于减少导通损耗。其工作结温高达150°C,并采用底座安装方式,确保了出色的热管理和系统可靠性。

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