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FERD20M60SR

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分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:DIODE FERD 60V 20A I2PAK
原厂封装:封装:I2PAK
优势价格,FERD20M60SR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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FERD20M60SR的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

FERD20M60SR是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能场效应整流器二极管(FERD),采用TO-262-3(IPAK)通孔封装。该器件融合了先进的半导体工艺与结构设计,旨在为高效率功率转换应用提供核心的整流解决方案。其核心架构基于优化的场效应整流技术,通过创新的沟槽结构和肖特基势垒原理的优化结合,在保持传统肖特基二极管低正向压降优势的同时,显著改善了其反向恢复特性与高温下的漏电流表现。

该器件具备多项突出的功能特性。其最大反向电压(Vr)为60V,平均整流电流(Io)高达20A,能够承受较高的功率等级。尤为关键的是,在20A的额定电流下,其正向压降(Vf)典型值仅为560mV,这一低导通损耗特性直接转化为更低的功率耗散和更高的系统效率。作为一款快速恢复二极管,其恢复速度≤500ns(在>200mA Io条件下),这使其在开关频率较高的应用中,如开关电源(SMPS)的次级侧整流或电机驱动的续流回路,能有效降低开关损耗并抑制电压尖峰,提升整体性能与可靠性。其反向漏电流在60V反向电压下典型值为230A,展现了良好的反向阻断能力。

在接口与参数方面,FERD20M60SR采用标准的三引脚IPAK封装,具有良好的机械强度和散热性能,便于在功率PCB板上进行安装和热管理。其电气参数组合包括60V的耐压、20A的电流能力、极低的正向压降以及快速的恢复特性定义了一个高性能整流器件的基准。对于需要可靠元器件供应与技术支持的设计项目,通过官方授权的ST一级代理进行采购,是确保产品正品性与供应链稳定性的重要途径。

基于其优异的性能参数,FERD20M60SR非常适用于对效率和开关性能有严苛要求的应用场景。典型应用包括工业级开关电源(AC-DC、DC-DC转换器)的次级整流、电机驱动和逆变器电路中的续流或钳位二极管、以及电焊机、不间断电源(UPS)等设备的功率处理部分。其快速恢复特性使其能胜任高频开关环境,而低正向压降则直接有助于降低系统温升,提升功率密度和长期运行可靠性。

  • 型号:FERD20M60SR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:I2PAK
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE FERD 60V 20A I2PAK
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 技术:FERD(场效应整流器二极管)
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):20A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):560 mV @ 20 A
  • 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:230 A @ 60 V
  • 不同Vr、F 时电容:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-262-3 全封装,I2PAK
  • 供应商器件封装:I2PAK
  • 工作温度 - 结:175°C(最大)
  • 想获取FERD20M60SR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

FERD20M60SR是ST意法半导体生产的一款有源、高性能场效应整流器(FERD)。该器件采用I2PAK(TO-262-3)通孔封装,核心规格为60V最大反向电压与20A平均整流电流,为中等功率应用提供了坚实的电气基础。

其核心卖点在于优异的效率与动态性能平衡。在20A额定电流下,正向压降低至560mV,显著降低了导通损耗。同时,作为快速恢复二极管(≤500ns),它能有效应对高频开关操作,减少开关损耗和电压过冲,提升系统整体效率与可靠性。这些特性使其成为高效率开关电源次级整流、电机驱动续流等应用的理想选择。

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