STF23NM60N

STF23NM60N是ST意法半导体基于其第二代MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直沟槽栅极结构，通过优化单元密度和电荷平衡技术，在高压条件下实现了导通电阻与栅极电荷乘积的显著降低，这一特性是衡量高压MOSFET开关性能优劣的关键指标。其内部架构旨在有效管理开关过程中的能量损耗，尤其适用于硬开关拓扑结构，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

作为MDmesh II系列的一员，该器件具备多项突出特性。其600V的漏源击穿电压确保了在工业级交流输入或PFC（功率因数校正）应用中的高可靠性。在25°C壳温下，其连续漏极电流额定值高达19A，配合低至180毫欧的导通电阻（测试条件：Vgs=10V， Id=9.5A），意味着在导通状态下能够有效降低传导损耗，提升系统整体能效。同时，其最大栅极电荷仅为60nC，这直接转化为更快的开关速度和更低的驱动损耗，有助于简化栅极驱动电路设计并提升开关频率。

在电气参数方面，该MOSFET的栅源阈值电压最大值为4V，具备良好的噪声免疫能力。其栅源电压可承受±25V的摆幅，为驱动电路设计提供了充足的裕量。输入电容在50V漏源电压下最大为2050pF，结合较低的栅极电荷，共同决定了其优异的动态开关特性。器件采用TO-220FP封装，这是一种带散热片的通孔安装封装，其最大功率耗散能力为35W，结合高达150°C的结温工作能力，使其在严苛的热环境下仍能保持稳定运行。对于需要获取此型号技术支持和供货信息的用户，可以咨询授权的ST代理商。

尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能使其在过去广泛应用于要求高效率和高功率密度的场合。典型应用领域包括开关模式电源，尤其是服务器电源、通信电源中的PFC级和DC-DC变换器主开关；工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂；以及不间断电源和焊接设备等需要高压大电流开关控制的功率电子系统。在这些应用中，其低导通损耗和快速开关特性的平衡，曾是实现紧凑型、高效率功率解决方案的关键因素之一。

• 型号:STF23NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 19A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2050 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 想获取STF23NM60N的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STF23NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心规格为600V漏源电压和19A连续漏极电流，专为高压、大电流开关应用而设计。

其技术核心在于实现了优异的性能平衡：180毫欧的低导通电阻有效降低了导通损耗，而仅60nC的低栅极电荷则确保了快速的开关瞬态和较低的驱动损耗。这些特性使其在硬开关拓扑中能显著提升效率。此外，器件支持高达150°C的结温工作，具备良好的热可靠性。