FERD30H60CG-TR

意法半导体（STMicroelectronics）推出的FERD30H60CG-TR是一款采用先进场效应整流器（FERD）技术的功率二极管阵列。该器件采用1对共阴极配置，将两个高性能整流二极管集成于单一DPak（TO-263AB）封装内，其核心优势在于将肖特基二极管低正向压降与PN结二极管高击穿电压特性相结合。这种架构通过优化载流子注入与复合机制，在保持高反向耐压的同时，显著降低了导通损耗与开关损耗，为高效率功率转换提供了基础。

该器件具备多项突出特性。其最大反向工作电压（Vr）为60V，每二极管平均整流电流（Io）高达15A，能够承受较高的功率应力。尤为关键的是，在15A的额定电流下，其典型正向压降（Vf）仅为585mV，这一数值远低于传统快恢复二极管，直接转化为更低的导通功耗和更高的系统效率。同时，它属于快速恢复二极管，其反向恢复时间极短（≤500ns），且反向恢复特性在电流大于200mA时依然保持优异，这能有效抑制开关过程中的电压尖峰和振荡，减少电磁干扰（EMI）。

在电气参数方面，FERD30H60CG-TR在60V反向电压下的典型反向漏电流（Ir）为170A，表现出良好的反向阻断能力。其最高结温（Tj）可达175°C，确保了在高温环境下的可靠运行。该器件采用表面贴装型（SMD）封装，即标准的TO-263-3（DPak），这种封装具有优异的散热性能，其金属裸露焊盘（接片）可直接焊接在PCB的铜箔上，将芯片产生的热量高效传导至电路板，简化了散热设计。用户可通过ST授权代理获取完整的技术支持与供应链服务。

凭借其高效率、快速开关和强大的电流处理能力，FERD30H60CG-TR非常适用于对效率和功率密度有严苛要求的开关电源（SMPS）次级侧整流、电机驱动电路中的续流或钳位、以及DC-DC转换器、不间断电源（UPS）和电焊机等工业电源应用场景。其紧凑的集成化设计还有助于减少PCB占用面积，优化整体系统布局。

• 型号:FERD30H60CG-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
• 描述:DIODE ARRAY FERD 60V 15A D2PAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 二极管配置:1 对共阴极
• 技术:FERD（场效应整流器二极管）
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:60 V
• 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:15A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):585 mV @ 15 A
• 速度:无恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:170 A @ 60 V
• 工作温度 - 结:175°C（最大）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:D2PAK
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FERD30H60CG-TR是ST意法半导体生产的一款高性能二极管阵列，采用先进的场效应整流器（FERD）技术。该器件采用1对共阴极配置，集成于DPak（TO-263AB）表面贴装封装中，提供高达60V的反向耐压和每二极管15A的平均整流电流能力。

其核心优势在于极低的导通损耗，在15A电流下正向压降典型值仅为585mV，同时具备快速恢复特性（≤500ns），能显著提升开关电源的效率并降低电磁干扰。高达175°C的最大结温与优异的封装散热设计，确保了其在工业级应用中的高可靠性。