FERD40H100SG-TR

FERD40H100SG-TR是ST意法半导体推出的一款高性能场效应整流器二极管，采用先进的平面MOSFET工艺技术制造。其核心架构通过将肖特基二极管的低正向压降特性与MOSFET的快速开关能力相结合，实现了传统PN结整流二极管难以企及的性能平衡。这种设计从根本上优化了载流子注入与复合过程，使得器件在保持高电流处理能力的同时，显著降低了开关损耗和导通压降，为高效率功率转换应用提供了理想的解决方案。

该器件具备多项突出的功能特性。其最大反向电压高达100V，能够承受较高的反向偏置，增强了系统的可靠性。在40A的额定平均整流电流下，其正向压降仅为705mV，这一极低的Vf值直接转化为更低的导通损耗和更优的能效表现。作为一款快速恢复二极管，其恢复时间小于500ns，且能在大于200mA的电流下保持快速开关特性，这有效抑制了反向恢复过程中产生的电压尖峰和振荡，减少了电磁干扰，并提升了开关电源的整体效率与稳定性。其反向漏电流在100V时典型值仅为190A，表现出优异的关断特性。

在接口与封装方面，FERD40H100SG-TR采用表面贴装型D2PAK封装，具体为TO-263-3（DPak）规格。这种封装形式提供了优异的散热性能和机械强度，其金属接片可直接焊接在PCB的铜箔区域，实现高效的热量导出，确保器件在40A大电流工作条件下的长期稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取原装正品和技术支持。

凭借其高电流、低损耗和快速恢复的综合优势，该器件非常适合应用于对效率和功率密度要求苛刻的场合。典型应用包括开关模式电源的次级侧整流、DC-DC转换器、电机驱动电路中的续流二极管以及不间断电源和逆变器系统。在这些场景中，它能够有效提升系统效率，减少散热需求，并有助于实现更紧凑、更可靠的电源设计。

• 型号:FERD40H100SG-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE FERD 100V 40A D2PAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:FERD（场效应整流器二极管）
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:100 V
• 电流 - 平均整流 (Io):40A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):705 mV @ 40 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:190 A @ 100 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:D2PAK
• 工作温度 - 结:175°C（最大）
• 想获取FERD40H100SG-TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

FERD40H100SG-TR是ST意法半导体生产的一款采用场效应整流器技术的大电流、快速恢复二极管。该器件额定为100V反向电压与40A平均整流电流，在满额40A电流下的正向压降典型值低至705mV，这一特性使其在导通状态下的功耗显著低于传统整流管。

作为快速恢复型器件，其恢复时间不超过500ns，能够有效抑制开关过程中的电压过冲和振荡，提升开关电源和功率转换电路的效率与可靠性。其采用表面贴装的D2PAK封装，具有良好的散热能力，适合高功率密度应用。