L6384D013TR

L6384D013TR是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高压半桥栅极驱动器集成电路，采用紧凑的8引脚SOIC封装，专为高效、可靠地驱动功率开关器件而设计。其核心架构基于高压电平移位技术，能够在一个芯片内集成高压侧和低压侧两个独立的驱动通道，并通过内部自举二极管为高压侧通道提供浮动电源。这种设计有效隔离了高压功率回路与低压控制逻辑，确保了系统在高达600V总线电压下的稳定运行，同时简化了外部电路设计。

该器件具备多项关键功能特性，以满足严苛的工业应用需求。其输入逻辑采用反相设计，增强了抗噪声干扰能力，并与标准微控制器或DSP输出电平兼容，逻辑阈值（V_IL/V_IH）分别为1.5V和3.6V。驱动输出级经过优化，可提供强大的峰值驱动电流，拉电流（Source）能力达650mA，灌电流（Sink）能力为400mA，配合典型值50ns（上升）和30ns（下降）的快速开关特性，能够显著降低功率MOSFET或IGBT的开关损耗，提升系统整体效率。其宽范围的工作电源电压（14.6V至16.6V）和宽广的结温工作范围（-45°C 至 125°C），确保了在恶劣环境下的高可靠性。

在接口与参数方面，L6384D013TR提供了简洁而强大的控制接口。两个驱动通道均为同步类型，可直接驱动N沟道MOSFET或IGBT。高压侧通道通过自举电容供电，最大耐受电压为600V，为半桥或同步降压等拓扑提供了安全裕量。其表面贴装型（SMD）的8-SOIC封装便于自动化生产，并提供了卷带（TR）和剪切带（CT）的包装选项，方便不同规模的采购与生产。用户可通过ST中国代理获取详细的技术支持与供应链服务。

凭借其稳健的性能，L6384D013TR非常适合应用于需要高效功率转换和电机控制的领域。典型应用场景包括开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）级和DC-DC变换器、工业电机驱动与变频器、不间断电源（UPS）以及照明镇流器等。其快速开关能力和高驱动强度使其成为构建紧凑、高效功率系统的理想选择，尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能指标在同类解决方案中仍具有重要的参考价值。

• 型号:L6384D013TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:14.6V ~ 16.6V
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
• 工作温度:-45°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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L6384D013TR是ST意法半导体生产的一款高压半桥栅极驱动器IC，采用8-SOIC封装。该器件集成了高压侧和低压侧两个同步驱动通道，专为驱动N沟道MOSFET和IGBT而优化，可承受高达600V的自举电压，适用于严酷的工业环境。

其核心优势在于强大的驱动能力和快速的开关速度。器件可提供650mA拉电流和400mA灌电流的峰值输出，配合典型的50ns上升和30ns下降时间，能有效降低功率开关管的开关损耗。输入逻辑兼容反相信号，具有明确的1.5V/3.6V阈值，增强了抗干扰性。工作电源电压范围为14.6V至16.6V，并支持-45°C至125°C的宽结温范围，确保了系统的稳定与可靠。