L6387DTR

作为一款专为高压应用设计的半桥栅极驱动器，L6387DTR集成了高性能的驱动电路与保护功能，其核心架构基于独立的高压侧和低压侧驱动通道，能够有效驱动IGBT或N沟道MOSFET。该芯片采用自举技术为高压侧驱动器供电，最大支持600V的浮动电压，使其能够轻松应对电机驱动、开关电源等场景中的高压切换需求。其内部集成了逻辑控制、电平转换以及欠压锁定（UVLO）等关键模块，确保了驱动信号的可靠性与系统的稳定性。

在功能特性方面，该驱动器提供了出色的开关性能，其典型的上升和下降时间分别为50ns和30ns，有助于降低开关损耗并提升系统效率。峰值输出电流能力达到拉出650mA、灌入400mA，能够快速对功率器件的栅极电容进行充放电，从而优化开关波形并抑制振铃现象。其输入逻辑采用反相设计，并与标准的CMOS/TTL电平兼容（V_IL=1.5V， V_IH=3.6V），便于与微控制器或逻辑电路直接接口。此外，其宽泛的工作结温范围（-45°C 至 125°C）保证了在严苛工业环境下的稳定运行。

该器件采用紧凑的8引脚SOIC封装，支持表面贴装，其最大供电电压为17V。这些接口与电气参数共同定义了其应用边界，使其成为构建紧凑、高效功率转换系统的理想选择。对于需要可靠货源和技术支持的客户，可以通过专业的ST芯片代理获取相关服务与产品信息。

基于其技术特点，L6387DTR非常适合应用于需要高压侧电气隔离的中小功率场合。典型应用包括三相电机驱动、无刷直流（BLDC）电机控制器、开关模式电源（SMPS）的功率级驱动，以及电子镇流器和UPS系统中的半桥或全桥拓扑。其快速开关能力和强大的驱动性能，有助于提升整个功率系统的能效和功率密度。

• 型号:L6387DTR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:17V（最大）
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
• 工作温度:-45°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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L6387DTR是ST意法半导体推出的一款半桥栅极驱动器IC，属于电源管理IC产品线。该器件设计用于驱动IGBT和N沟道MOSFET，其高压侧通道最高可承受600V的浮动电压，并采用自举供电方案，简化了高压驱动电路的设计。

它具备优异的开关特性，典型上升/下降时间分别为50ns和30ns，并提供高达650mA（拉出）和400mA（灌入）的峰值驱动电流，确保功率器件的高速、可靠开关。器件逻辑输入兼容CMOS/TTL电平，采用8-SOIC表面贴装封装，工作结温范围覆盖-45°C至125°C，适用于要求严苛的工业环境。