STB3N62K3

STB3N62K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面栅极MOSFET结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高击穿电压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心设计目标是在高达620V的漏源电压（Vdss）下提供稳定可靠的开关性能，同时将传导损耗控制在较低水平，这使其非常适合在需要高效能量转换的中等功率应用中作为核心开关元件。

该MOSFET的显著特性在于其优异的静态与动态参数组合。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为2.7A，能够处理可观的负载电流。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、1.4A测试电流下最大值为2.5欧姆，较低的导通电阻直接转化为更低的通态损耗，有助于提升系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为13nC（@10V），结合385pF（@25V）的输入电容（Ciss），意味着器件具有快速的开关速度和较低的栅极驱动需求，这有助于简化驱动电路设计并降低开关损耗。

在接口与可靠性方面，STB3N62K3采用标准的表面贴装D2PAK封装，具有良好的功率耗散能力，在壳温条件下最大功耗可达45W。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±30V，提供了宽裕的驱动安全余量。器件的阈值电压Vgs(th)最大为4.5V（@50A），确保了良好的噪声抑制能力。其结温（TJ）最高可工作在150°C，保证了在高温环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST一级代理获取该产品的技术支持和库存信息。

凭借620V的高压能力和平衡的性能参数，这款器件主要面向离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明用电子镇流器以及电机驱动辅助电源等应用场景。在这些领域中，其能够有效承担高压开关任务，在实现电路功能的同时，兼顾系统的效率与成本。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设计的维护、备件或特定批量化生产中，它仍然是一个经过市场验证的技术选择。

• 型号:STB3N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 2.7A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:385 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB3N62K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用D2PAK表面贴装封装，核心额定参数为620V漏源电压（Vdss）和2.7A连续漏极电流（Id），专为要求高压开关和中等电流处理能力的应用而设计。

其技术优势体现在较低的导通电阻（2.5欧姆 @ 1.4A, 10V）与优化的栅极电荷（13nC @ 10V），这有助于降低功率损耗并提升开关速度。器件支持高达150°C的结温工作，并具备±30V的栅源电压耐受范围，确保了在苛刻环境下的鲁棒性和驱动安全性。