L6387E

L6387E是ST意法半导体推出的一款高压、高速半桥栅极驱动器IC，采用经典的8引脚DIP通孔封装。该器件内部集成了两个独立的驱动通道，专为驱动工作在高压侧和低压侧的N沟道功率MOSFET或IGBT而优化设计。其核心架构基于自举电容技术，通过内部集成的高压电平移位电路，实现了对高压侧功率开关的可靠驱动，同时确保了逻辑控制侧（低压侧）与功率侧（高压侧）之间的有效电气隔离，简化了高压半桥或全桥拓扑的驱动电路设计。

该驱动器具备出色的动态性能，其典型上升和下降时间分别为50纳秒和30纳秒，能够实现功率开关的快速导通与关断，有效降低开关损耗，提升系统效率。高达400mA的灌电流和650mA的拉电流峰值输出能力，使其能够快速对功率器件的栅极电容进行充放电，有效应对米勒效应，确保开关过程的稳定性和可靠性。其输入逻辑采用反相设计，兼容标准的微控制器或PWM控制器信号，逻辑电平阈值（VIL=1.5V， VIH=3.6V）使其能广泛适配3.3V或5V逻辑系统。

在电气参数方面，L6387E支持最高17V的单电源供电电压，为栅极驱动提供了充足的电压裕量。其高压侧驱动电路可承受高达600V的绝对最大电压，这使其非常适用于市电整流后的高压母线应用，如电机驱动、开关电源的功率因数校正（PFC）电路等。器件的工作结温范围宽达-45°C至125°C，保证了其在严苛工业环境下的稳定运行。用户可通过正规的ST授权代理渠道获取该产品的技术支持和供应信息。

尽管该型号目前已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能在过去的工业与消费电子领域得到了广泛验证。其主要应用场景包括但不限于交流电机驱动、不间断电源（UPS）、工业逆变器以及中大功率的开关模式电源。在这些应用中，L6387E作为关键的驱动接口，将控制信号安全、高效地转换为功率级的开关动作，是构建高性能功率转换系统的重要基石。

• 型号:L6387E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-DIP
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:17V（最大）
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
• 工作温度:-45°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:8-DIP（0.300，7.62mm）
• 供应商器件封装:8-DIP
• 想获取L6387E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

L6387E是ST意法半导体生产的一款高压半桥栅极驱动器，采用8-DIP封装。该器件集成了两个独立驱动通道，专为驱动N沟道MOSFET和IGBT设计，其高压侧可承受最高600V电压，并采用自举供电架构，简化了高压半桥电路的驱动设计。

该驱动器具备优异的开关性能，典型上升/下降时间分别为50ns和30ns，并提供了400mA（灌）和650mA（拉）的峰值输出电流，确保功率器件的高速、可靠开关。其逻辑输入兼容常见的3.3V/5V控制系统，工作温度范围覆盖-45°C至125°C，适用于要求严苛的工业环境。