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L99LD02Q505TR

ST图标
集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > DC-DC 开关控制器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:DUAL-PHASE BOOST DC/DC CONTROLLE
原厂封装:封装:32-QFN(5x5)
优势价格,L99LD02Q505TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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L99LD02Q505TR的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

L99LD02Q505TR是意法半导体(STMicroelectronics)面向严苛汽车电子应用推出的一款高性能双相升压DC/DC控制器。该器件采用先进的32-VFQFN封装,并符合AEC-Q100汽车级标准,确保了其在-40°C至150°C的宽结温范围内具备卓越的可靠性与稳定性,完全满足汽车动力总成、高级驾驶辅助系统(ADAS)等关键应用的环境要求。

其核心架构围绕一个高效的双相、交错式升压拓扑构建。这种双相设计不仅显著降低了输入和输出电流纹波,减小了对输入电容和输出滤波器的要求,还通过相位交错实现了更高的有效开关频率,从而提升了系统的整体效率与功率密度。控制器支持3V至28V的宽输入电压范围,并可通过外部电阻灵活设定100kHz至470kHz的开关频率,工程师能够根据具体应用的效率、尺寸和EMI要求进行优化。高达95%的最大占空比使其能够处理较大的输入输出电压转换比,非常适合由12V或24V电池系统升压至更高电压轨的应用。

在功能与控制方面,该芯片提供了高度的灵活性与集成度。它集成了一个完整的SPI串行接口,允许微控制器对关键参数进行数字配置与实时监控,实现了精确的电源管理。控制特性包括可编程的电流限制和使能功能,为系统提供了完善的保护机制。此外,器件支持外部时钟同步,有助于在多电源系统中协调开关动作,进一步降低系统级的电磁干扰(EMI)。其输出类型为晶体管驱动器,可直接驱动外部N沟道功率MOSFET,为设计高功率、高效率的升压转换器提供了坚实的基础。

在接口与参数设定上,除了上述的宽电压范围与可调频率,其表面贴装且带有可润湿侧翼的封装工艺,极大便利了自动化组装并提升了焊接点的视觉检测可靠性,这对汽车电子制造至关重要。对于需要可靠供应链与技术支持的客户,可以通过官方授权的ST中国代理获取完整的器件、评估板以及设计资源。该控制器典型的应用场景包括汽车领域的48V轻度混合动力系统、柴油发动机的共轨喷射系统、LED前照灯驱动,以及工业领域中需要将低压电池升压至更高电压的便携式设备、通信基站备份电源等。其双相架构带来的高效率、低纹波和优异的热性能,使其成为高可靠性、高功率密度电源解决方案的理想选择。

  • 型号:L99LD02Q505TR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:32-QFN(5x5)
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > DC-DC 开关控制器
  • 描述:DUAL-PHASE BOOST DC/DC CONTROLLE
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 输出类型:晶体管驱动器
  • 功能:升压
  • 输出配置:正
  • 拓扑:升压
  • 输出数:1
  • 输出阶段:2
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):3V ~ 28V
  • 频率 - 开关:100kHz ~ 470kHz
  • 占空比(最大):95%
  • 同步整流器:无
  • 时钟同步:是
  • 串行接口:SPI
  • 控制特性:限流,使能
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装,可润湿侧翼
  • 封装/外壳:32-VFQFN 焊盘
  • 供应商器件封装:32-QFN(5x5)
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L99LD02Q505TR是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q100标准的汽车级双相升压DC/DC控制器。该器件采用双相交错式升压拓扑,有效降低输入输出电流纹波,提升功率密度和效率,适用于由12V/24V电池系统生成更高电压轨的严苛应用。

其核心特性包括3V至28V的宽输入电压范围、100kHz至470kHz的可编程开关频率以及高达95%的最大占空比。控制器集成SPI接口用于数字配置与监控,并具备限流、使能等保护功能,同时支持外部时钟同步以优化系统EMI。其32-VFQFN封装带可润湿侧翼,确保了汽车电子应用所要求的高可靠性与可制造性。

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