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M24128-BRDW6TP

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 128KBIT I2C 8TSSOP
原厂封装:封装:8-TSSOP
优势价格,M24128-BRDW6TP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M24128-BRDW6TP的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M24128-BRDW6TP是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的高性能串行EEPROM存储器芯片。该器件采用成熟的EEPROM技术构建,其核心架构基于一个经过优化的16K x 8位存储阵列,通过高效的电荷泵和灵敏放大器设计,确保了数据读写的可靠性与稳定性。其内部集成了完整的IC总线接口控制器和地址序列发生器,能够自动管理总线协议和内部寻址,极大地减轻了主控处理器的负担。

该芯片提供了128Kb(16KB)的非易失性存储空间,支持在系统断电后长期保存关键配置参数、用户数据或运行日志。其1.8V至5.5V的宽电压供电范围使其能够无缝兼容从低功耗微控制器到传统5V系统的各类平台,展现了出色的设计灵活性。得益于优化的工艺和电路设计,其页写入周期时间典型值为5ms,而访问时间仅为450ns,在保证数据写入安全的同时,提供了快速的读取响应。其IC接口支持标准模式(100kHz)和快速模式(400kHz),并可选支持高达1MHz的高速模式,满足了高速数据交换的应用需求。

在接口与参数方面,M24128-BRDW6TP采用标准的双线IC串行接口,仅需两根信号线(串行时钟SCL和串行数据SDA)即可完成所有通信,极大地节省了系统宝贵的I/O资源。芯片内置了写保护功能,可通过软件指令或硬件写保护引脚(WP)来防止意外写入,增强了数据的安全性。其工作温度范围覆盖-40°C至85°C,能够适应工业级和消费类电子产品所面临的严苛环境。该器件采用8引脚TSSOP表面贴装封装,体积小巧,非常适合空间受限的紧凑型设计。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过授权的ST芯片代理获取正品器件和技术支持。

凭借其高可靠性、低功耗和易于集成的特点,M24128-BRDW6TP广泛应用于需要参数存储和数据记录的领域。典型应用场景包括智能电表、家用电器、工业控制模块中的配置信息存储,物联网传感器节点中的历史数据缓存,汽车电子中的事件记录,以及医疗设备、通信模块和消费电子产品中的固件参数备份。其稳定的性能和宽泛的工作条件使其成为工程师在设计中实现非易失性存储功能的可靠选择。

  • 型号:M24128-BRDW6TP
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-TSSOP
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 128KBIT I2C 8TSSOP
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:已验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:128Kb
  • 存储器组织:16K x 8
  • 存储器接口:I2C
  • 时钟频率:1 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:5ms
  • 访问时间:450 ns
  • 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-TSSOP
  • 想获取M24128-BRDW6TP的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M24128-BRDW6TP是ST意法半导体推出的一款128Kb容量串行EEPROM存储器。该器件采用IC接口,支持高达1MHz的通信速率,并提供1.8V至5.5V的宽电压工作范围,兼容性出色。

其核心特性包括16K x 8位的存储结构、5ms的典型写周期时间以及450ns的快速访问时间。芯片采用8-TSSOP表面贴装封装,工作温度范围为-40°C至85°C,适用于对可靠性和空间有要求的各类工业及消费电子应用。

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