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M24128-DRMF3TG/K

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 128KBIT I2C 8UFDFPN
原厂封装:封装:8-UFDFPN(2x3)
优势价格,M24128-DRMF3TG/K的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M24128-DRMF3TG/K的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

作为意法半导体(STMicroelectronics)旗下符合AEC-Q100标准的汽车级存储器产品,M24128-DRMF3TG/K是一款采用先进CMOS工艺设计的128Kb串行EEPROM。该芯片基于成熟的IC(Inter-Integrated Circuit)总线接口,其核心架构围绕一个16K x 8位的非易失性存储阵列构建,并集成了地址寄存器、控制逻辑以及高压生成电路,确保了数据读写的可靠性与高效性。其设计充分考虑了在复杂电磁环境下的稳定性,内部集成的滤波电路能有效抑制总线上的噪声干扰。

该器件提供了宽电压工作范围(1.8V至5.5V),使其能够无缝兼容从低功耗微控制器到传统5V系统的各类平台,极大提升了设计的灵活性。其时钟频率最高可达1MHz,配合仅450ns的访问时间,能够满足对数据传输速率有较高要求的应用。在数据写入方面,它支持字节写入和页写入(最高64字节)两种模式,标准的写周期时间为4ms,并具备写保护功能以防止误操作。其工作温度范围覆盖-40°C至125°C,完全满足汽车电子及其他严苛工业环境对元器件可靠性的要求。

在接口与关键参数上,M24128-DRMF3TG/K采用两线制IC接口,通过SDA(串行数据)和SCL(串行时钟)线与主机通信,支持高达400kHz和1MHz两种速度模式。器件地址可通过硬件引脚配置,允许在同一总线上挂载多个器件。它采用节省空间的8引脚MLP(8-WFDFN)表面贴装封装,提供卷带(TR)和剪切带(CT)包装以适应自动化生产线需求。对于需要稳定供应链和技术支持的客户,可以通过授权的ST代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高可靠性、宽温宽压特性以及紧凑的封装,这款EEPROM非常适合应用于汽车电子领域,如车身控制模块(BCM)、仪表盘、传感器数据记录以及车载信息娱乐系统的参数存储。同时,在工业自动化、智能电表、医疗设备及消费电子产品中,它也是存储配置参数、校准数据、用户设置等关键信息的理想选择,为系统提供了一种经济高效且持久的数据存储解决方案。

  • 型号:M24128-DRMF3TG/K
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-UFDFPN(2x3)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 128KBIT I2C 8UFDFPN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:128Kb
  • 存储器组织:16K x 8
  • 存储器接口:I2C
  • 时钟频率:1 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:4ms
  • 访问时间:450 ns
  • 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-UFDFN 焊盘
  • 供应商器件封装:8-UFDFPN(2x3)
  • 想获取M24128-DRMF3TG/K的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M24128-DRMF3TG/K是ST意法半导体推出的一款128Kb(16K x 8)串行EEPROM存储器。该器件采用标准的IC接口,最高通信频率可达1MHz,并具备1.8V至5.5V的宽电压供电范围,确保了其在多种电源环境下的兼容性与设计灵活性。

作为符合AEC-Q100标准的汽车级产品,其工作温度范围达-40°C至125°C,提供了卓越的环境适应性。其非易失性存储特性、4ms的标准写周期时间以及表面贴装的8-WFDFN紧凑封装,使其成为汽车电子、工业控制及各类需要可靠参数存储应用的稳健选择。

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