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M24256-BWMN6T

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,M24256-BWMN6T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M24256-BWMN6T的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M24256-BWMN6T是一款由意法半导体(STMicroelectronics)设计生产的串行EEPROM存储器芯片,采用成熟的CMOS浮栅技术构建其非易失性存储单元。其核心架构基于一个组织为32K x 8位(即256Kb总容量)的存储阵列,通过内部地址锁存器、数据寄存器和控制逻辑电路,在IC串行总线协议下实现高效、可靠的数据存取。芯片内部集成了高压生成电路,使得在单一的2.5V至5.5V宽电压范围内即可完成编程和擦除操作,无需外部提供高压,简化了系统电源设计。

该器件支持标准模式(100kHz)、快速模式(400kHz)以及高达1MHz的高速模式IC总线通信,具备出色的数据传输速率。其访问时间低至450纳秒,而字或页写入周期典型值为5毫秒,确保了数据更新的及时性。为了保障数据完整性,芯片内置了写保护功能,可通过软件指令或硬件写保护引脚(WP)来防止误写操作。此外,器件提供了超过400万次的擦写周期和长达200年的数据保持能力,这些高耐久性与高可靠性特性使其成为需要频繁更新配置或记录关键数据的应用的理想选择。

在接口与电气参数方面,宽电压供电范围(2.5V~5.5V)使其能够无缝兼容3.3V和5V系统,增强了设计灵活性。其工作温度范围覆盖工业级标准的-40°C至85°C,确保在严苛环境下稳定运行。芯片采用8引脚SOIC封装,支持表面贴装工艺,符合现代电子设备小型化、高密度的生产要求。对于需要获取此型号样品或进行批量采购的设计工程师,可以通过授权的ST代理商渠道获得完整的技术支持与供应链服务。

凭借其稳定的性能和丰富的功能,M24256-BWMN6T广泛应用于各类需要存储参数、配置信息或历史数据的电子系统中。典型应用场景包括但不限于:消费电子产品(如智能电视、机顶盒)中的系统配置存储,工业控制设备(如PLC、传感器模块)的参数与校准数据记录,通信模块(如路由器、基站)的MAC地址与配置信息存储,以及汽车电子系统中的非关键数据记录等。尽管该产品已处于停产状态,但其成熟的设计和广泛的应用验证使其在现有系统维护和特定设计中仍具参考价值。

  • 型号:M24256-BWMN6T
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:256Kb
  • 存储器组织:32K x 8
  • 存储器接口:I2C
  • 时钟频率:1 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:5ms
  • 访问时间:450 ns
  • 电压 - 供电:2.5V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 想获取M24256-BWMN6T的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M24256-BWMN6T是意法半导体推出的一款256Kb容量串行EEPROM存储器。它采用IC接口,支持最高1MHz的时钟频率,并具备2.5V至5.5V的宽电压工作范围,兼容性强。

该器件提供32K x 8位的存储组织,访问时间为450ns,字/页写入周期为5ms。其工业级工作温度范围(-40°C至85°C)和表面贴装型8-SOIC封装,满足了高可靠性应用对非易失性数据存储的核心需求。

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