STF3LN62K3

STF3LN62K3是ST意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面MOSFET架构，通过优化的单元设计和第三代SuperMESH工艺，在硅片层面实现了导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_G）之间的出色平衡。其核心设计目标是在高电压下提供高效、可靠的开关性能，同时保持良好的热稳定性。

该MOSFET具备620V的高漏源击穿电压（V_DSS），这使其能够从容应对工业级应用中的电压应力和开关尖峰，为系统提供了充裕的安全裕量。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压、1.25A漏极电流条件下的导通电阻典型值仅为3欧姆，有助于降低导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷（Q_G）最大值低至17nC，结合386pF的输入电容（C_iss），意味着开关过程中的栅极驱动损耗和开关延迟得以显著减少，有利于提升系统在高频工作下的整体效率。

在电气参数上，STF3LN62K3的连续漏极电流（I_D）在壳温（T_C）条件下额定为2.5A，栅源阈值电压（V_GS(th)）最大值为4.5V，确保了与标准逻辑电平或微控制器IO口的良好兼容性。其栅源电压（V_GS）可承受±30V的范围，增强了抗干扰能力。器件采用经典的TO-220FP绝缘封装，最大功率耗散能力为20W（T_C），结合高达150°C的结温（T_J）工作能力，赋予了其优秀的散热性能和长期运行可靠性。用户可通过官方授权的ST代理获取详细的技术支持和供货信息。

凭借其高耐压、低损耗和坚固的封装特性，该器件非常适用于对效率和可靠性有严格要求的离线式开关电源（SMPS）初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制以及照明镇流器等应用场景。它为工程师在设计和优化中等功率的AC-DC或DC-DC电源转换方案时，提供了一个经过验证的高性能半导体开关解决方案。

• 型号:STF3LN62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 2.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:386 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF3LN62K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH3产品系列。该器件核心优势在于其620V的高漏源电压额定值，能够为高压应用提供可靠的开关基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的良好结合。在10V驱动下，导通电阻典型值仅为3欧姆，有助于减少导通损耗；同时，最大17nC的栅极电荷确保了快速的开关切换，有利于提升系统在高频工作时的效率。器件采用TO-220FP绝缘封装，支持高达150°C的结温工作，具备优秀的功率处理能力和热可靠性。