STD2N105K5

STD2N105K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，通过创新的单元设计和工艺技术，在保持快速开关特性的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)）和栅极电荷（Q_g）。其核心优势在于实现了高击穿电压与低开关损耗之间的出色平衡，这对于提升高压开关电源的效率至关重要。

该MOSFET具备多项关键电气特性，使其在高压应用中表现卓越。其漏源击穿电压（V_DSS）高达1050V，为应对工业级电源的电压应力提供了充足的裕量。在导通特性方面，在10V驱动电压（V_GS）和750mA漏极电流（I_D）条件下，其导通电阻最大值仅为8欧姆，有助于降低导通状态下的功率损耗。同时，其栅极总电荷（Q_g）典型值较低，在10V V_GS下最大为10nC，结合115pF（在100V V_DS下）的输入电容，确保了快速的开关瞬态响应，有助于减少开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与参数方面，该器件设计为表面贴装型DPAK封装，便于自动化生产并节省PCB空间。其连续漏极电流（I_D）在壳温（T_C）为25°C时额定值为1.5A，最大允许栅源电压（V_GS）为±30V，提供了稳健的驱动安全范围。器件的阈值电压（V_GS(th)）最大为5V（在100A I_D条件下），具有较好的噪声免疫力。其结温（T_J）工作范围宽达-55°C至150°C，最大功率耗散为60W（T_C），确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

基于其高耐压、低损耗和快速开关的特性，STD2N105K5非常适用于需要高效能和高可靠性的离线式开关电源（SMPS）初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及工业电机驱动辅助电源等应用场景。在这些领域中，它能够有效提升系统整体效率，并满足对空间和热管理的严格要求。

• 型号:STD2N105K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 750mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:115 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD2N105K5是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，专为要求高效率和可靠性的高压开关应用而设计。

其核心参数包括高达1050V的漏源电压（V_DSS）和1.5A的连续漏极电流（I_D）。关键优势在于优异的动态性能平衡：在10V栅极驱动下，其导通电阻（R_DS(on)）最大值为8欧姆，同时栅极电荷（Q_g）最大仅为10nC，这共同实现了较低的导通与开关损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）进一步保障了其在各种环境条件下的稳定运行。