STL56N3LLH5

STL56N3LLH5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直沟槽栅极结构，旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷的卓越平衡。这种核心架构设计显著降低了传导损耗和开关损耗，使其在高频开关应用中能够维持高效率运行，同时其紧凑的PowerFlat（5x6）封装为高功率密度设计提供了理想的解决方案。

该MOSFET的突出特性在于其卓越的电气性能。其漏源电压（Vdss）额定值为30V，在25°C壳温条件下，连续漏极电流（Id）高达56A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs、7.5A Id条件下典型值仅为9毫欧，这一极低的数值直接转化为更低的导通压降和功率耗散，提升了系统整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）在4.5V Vgs时最大值仅为6.5nC，结合较低的输入电容（Ciss），意味着驱动电路所需的开关能量更少，能够实现更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频PWM控制应用。

在接口与参数方面，STL56N3LLH5提供了宽泛且稳健的工作范围。其栅源电压（Vgs）支持从-20V至+22V，增强了抗栅极噪声干扰的能力。阈值电压（Vgs(th)）最大值为1V，确保了与低电压逻辑电平驱动的良好兼容性。器件最大功率耗散为62.5W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的可靠性与长期稳定性。其表面贴装型PowerFlat封装不仅优化了散热性能，也节省了宝贵的PCB空间。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高性能组合，STL56N3LLH5非常适用于对效率和功率密度有苛刻要求的现代电源管理系统。典型应用场景包括服务器和电信设备的同步整流DC-DC转换器、高性能笔记本电脑的CPU/GPU电压调节模块（VRM）、以及各类工业电源和电机驱动中的高频开关电路。在这些应用中，它能够有效提升系统效率，减少热设计复杂度，并助力实现更紧凑、更可靠的终端产品设计。

• 型号:STL56N3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 56A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):56A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:+22V，-20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:950 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL56N3LLH5是ST意法半导体推出的一款采用PowerFlat封装的高性能N沟道功率MOSFET，隶属于先进的STripFET V产品系列。该器件额定值为30V漏源电压和56A连续漏极电流，核心优势在于其极低的导通电阻（9毫欧 @ 10V）与极低的栅极电荷（6.5nC @ 4.5V）的出色结合。

这一特性组合使其能够同时最小化传导损耗和开关损耗，特别适合在高频开关电源应用中追求极致效率。其宽泛的栅极电压范围（-20V至+22V）和高达150°C的结温工作能力，进一步确保了其在苛刻环境下的稳健性与可靠性，为高功率密度设计提供了强有力的半导体解决方案。