STP4N80K5

STP4N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺架构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高击穿电压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心在于通过第五代SuperMESH技术，显著降低了单位面积下的导通电阻（R_DS(on)），同时维持了优异的动态性能和雪崩耐量，这使其在处理高压开关应用时，能够有效降低传导损耗，提升整体能效。

该MOSFET具备800V的高漏源击穿电压（V_DSS），这为在离线式电源、功率因数校正（PFC）等存在高电压应力的应用中提供了充足的安全裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值为3A。其导通电阻在10V栅极驱动电压、1.5A漏极电流条件下典型值较低，最大值仅为2.5欧姆，这直接关系到导通状态下的功率损耗。其栅极电荷（Q_g）典型值较低，在10V条件下最大为10.5nC，结合175pF（@100V）的输入电容（C_iss），意味着器件具有较快的开关速度，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。其栅源电压（V_GS）耐受范围为±30V，提供了较强的抗干扰能力。

在封装与可靠性方面，STP4N80K5采用业界标准的TO-220通孔封装，具有良好的机械强度和散热特性，其最大功率耗散能力为60W（壳温条件下）。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在严苛环境下的稳定运行。这些特性使其非常适用于需要高电压处理能力和高效率的场合，例如开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、照明应用的电子镇流器、工业电机驱动的辅助电源以及家用电器中的功率转换模块。对于需要获取官方技术支持和批量供货的客户，可以联系ST中国代理以获取详细的产品资料和供应链服务。

• 型号:STP4N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 3A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:175 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP4N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件设计用于高压环境，其核心参数包括800V的漏源电压（V_DSS）和3A的连续漏极电流（I_D），提供了稳健的电压阻断能力和电流处理能力。

其技术优势体现在较低的导通电阻（R_DS(on)最大2.5Ω @10V）与优化的栅极电荷（Q_g最大10.5nC @10V），这共同实现了更低的传导损耗和开关损耗，有助于提升电源系统的整体效率。采用TO-220封装，支持通孔安装，并具备60W的功率耗散能力和-55°C至150°C的宽工作结温范围，确保了其在各种应用条件下的可靠性与耐用性。