M24C01-WBN6P

M24C01-WBN6P是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款基于IC串行接口的1Kbit EEPROM非易失性存储器芯片。该器件采用成熟的EEPROM技术构建，其核心存储阵列组织为128×8位结构，提供可靠的字节级和页级数据读写能力。内部集成了必要的地址解码、时序控制和高压生成电路，确保了在单电源供电下完成编程和擦除操作，其设计注重在宽电压范围内的稳定性和数据保持的长期可靠性。

该芯片的功能特性围绕其高效的串行通信和灵活的操作模式展开。它支持标准的IC总线协议，最高时钟频率可达400kHz，实现了快速的数据传输。其页写模式允许连续写入最多16字节，配合5ms的典型写周期时间，提升了数据批量更新的效率。访问时间仅为900ns，确保了主机读取数据时的响应速度。一个关键优势是其宽广的2.5V至5.5V单电源工作电压范围，这使得它能轻松兼容从3.3V到5V的多种逻辑系统，增强了设计的通用性。同时，其工作温度范围覆盖-40°C至85°C，满足工业级应用对环境适应性的要求。

在接口与参数层面，M24C01-WBN6P通过双线制的IC接口（串行数据线SDA和串行时钟线SCL）与微控制器或主处理器连接，极大简化了PCB布局和系统连线。其内置的写保护功能可通过硬件引脚控制，防止意外数据篡改。该器件采用经典的8引脚DIP（双列直插）封装，便于通孔安装，适合原型开发、测试以及需要高可靠插装的应用场景。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过官方授权的ST一级代理进行采购是保障供应链顺畅的可靠途径。

凭借其稳定的性能、简单的接口和宽泛的工作条件，这款EEPROM非常适合应用于需要存储配置参数、校准数据或用户设置的各种电子系统中。典型应用场景包括工业控制模块、智能仪表、消费类电子产品、通信设备以及汽车电子中的非关键数据存储。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有产品维护、备件供应或对DIP封装有特定需求的传统设计中，它仍然是一个经过市场长期验证的存储解决方案。

• 型号:M24C01-WBN6P
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-PDIP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC EEPROM 1KBIT I2C 400KHZ 8DIP
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:EEPROM
• 技术:EEPROM
• 存储容量:1Kb
• 存储器组织:128 x 8
• 存储器接口:I2C
• 时钟频率:400 kHz
• 写周期时间 - 字，页:5ms
• 访问时间:900 ns
• 电压 - 供电:2.5V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:8-DIP（0.300，7.62mm）
• 供应商器件封装:8-PDIP
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M24C01-WBN6P是ST意法半导体生产的一款1Kbit容量EEPROM存储器芯片。该器件采用IC串行接口，支持高达400kHz的通信速率，并具备2.5V至5.5V的宽电压工作范围，兼容性强。

其存储结构为128×8位，提供字节和页写入功能，典型页写周期为5ms。芯片采用8引脚DIP通孔封装，工作温度范围为-40°C至85°C，适用于需要可靠非易失性数据存储的各类工业及消费电子应用。