STP3NK90Z

STP3NK90Z是ST意法半导体（STMicroelectronics）推出的SuperMESH系列N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心架构基于优化的单元密度与栅极设计，有效降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时通过增强的漏极结构实现了高达900V的击穿电压，为高压开关应用提供了坚实的可靠性基础。

在功能特性上，该器件展现了卓越的性能。900V的漏源电压（Vdss）额定值使其能够从容应对工业级AC-DC电源中常见的电网电压波动与开关感性负载时产生的电压尖峰。其导通电阻在10V驱动电压、1.5A电流条件下最大仅为4.8欧姆，较低的Rds(on)直接转化为更高的效率和更少的热量产生。此外，最大栅极电荷（Qg）仅为22.7nC，结合590pF的典型输入电容（Ciss），意味着其开关速度快，栅极驱动损耗低，有利于提升系统整体频率和效率。其栅源电压（Vgs）可承受±30V，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力。

从接口与参数来看，STP3NK90Z在25°C壳温（Tc）下可连续通过3A的漏极电流，最大功耗达90W。其采用经典的TO-220AB通孔封装，具有良好的机械强度和成熟的散热处理方案，便于安装在散热器上以管理功率耗散。工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠元器件供应的设计项目，可以通过官方授权的ST代理渠道获取该产品及其完整的技术支持。

基于其高压、低损耗和快速开关的特性，该MOSFET非常适合应用于需要高效能和高可靠性的场合。典型应用包括离线式开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电子镇流器以及工业电机控制中的辅助电源部分。在这些场景中，它能够有效提升电源转换效率，减小系统体积，并增强对过压条件的耐受性，是工程师设计高压功率电路时的优选功率开关器件之一。

• 型号:STP3NK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 3A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.8 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP3NK90Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。其核心卖点在于高达900V的漏源击穿电压（Vdss）与优化的导通特性，在10V Vgs、1.5A Id条件下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为4.8欧姆，实现了高压与低导通损耗的良好结合。

该器件具备快速的开关性能，最大栅极电荷（Qg）低至22.7nC，有助于降低开关损耗并提升系统工作频率。其设计支持3A的连续漏极电流（Tc=25°C）和90W的最大功耗，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在高压开关电源、PFC及工业控制等应用中的高效、可靠运行。