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M24C01-WMN6P的图片

M24C01-WMN6P

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 1KBIT I2C 400KHZ 8SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,M24C01-WMN6P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M24C01-WMN6P的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M24C01-WMN6P是ST意法半导体推出的一款基于IC串行接口的1Kb EEPROM存储器芯片。该器件采用成熟的CMOS EEPROM技术制造,其核心存储单元阵列组织为128字节×8位(128 x 8)的结构,通过内部集成的升压泵电路,实现了在单一电源电压下对存储单元的擦写操作,无需额外的高压供电,简化了系统设计。

该芯片的功能特点突出体现在其宽电压工作范围(2.5V至5.5V)低功耗特性上,使其能够无缝兼容从3.3V到5V的多种逻辑系统。其标准的IC两线制串行接口支持最高400kHz的时钟频率,确保了与主控制器之间快速、可靠的数据传输。在数据可靠性方面,器件提供了超过一百万次的擦写周期以及长达四十年的数据保存期限,并内置了写保护功能,可通过硬件引脚或软件指令对全部或部分存储空间进行保护,防止误写操作。其页写模式允许在一次写周期内连续写入最多16字节的数据,有效提升了多字节数据存储的效率,典型的字节或页写周期时间为5ms。

在接口与电气参数方面,M24C01-WMN6P的访问时间为900ns,配合快速的IC总线,能满足大多数实时性要求不苛刻的参数存储应用。其工作温度范围覆盖工业级的-40°C至85°C,保证了在严苛环境下的稳定运行。芯片采用8引脚SOIC封装,符合表面贴装工艺要求,便于集成到高密度的PCB设计中。对于需要稳定可靠供应链的客户,可以通过官方授权的ST一级代理进行采购,以确保获得原厂正品和技术支持。

凭借其小容量、高可靠性及简单的两线接口,M24C01-WMN6P非常适用于需要存储配置参数、校准数据、状态信息或用户设定的各类嵌入式系统。典型应用场景包括智能电表、家用电器、工业传感器模块、通信模块、消费类电子产品以及汽车电子中的非关键数据存储。其工业级温度特性和长寿命设计,使其成为对成本敏感且要求长期可靠运行的工业与消费应用的理想选择。

  • 型号:M24C01-WMN6P
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 1KBIT I2C 400KHZ 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:不适用于新设计
  • 南皇电子 可编程:已验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:1Kb
  • 存储器组织:128 x 8
  • 存储器接口:I2C
  • 时钟频率:400 kHz
  • 写周期时间 - 字,页:5ms
  • 访问时间:900 ns
  • 电压 - 供电:2.5V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 想获取M24C01-WMN6P的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M24C01-WMN6P是STMicroelectronics生产的一款1Kb容量串行EEPROM存储器。该器件采用标准的IC接口,时钟频率最高可达400kHz,支持快速的数据读写操作。其存储结构为128×8位,并具备页写功能,可提升多字节写入效率。

该芯片设计用于宽电压范围(2.5V至5.5V)系统,功耗低,兼容性强。它提供超过100万次的擦写周期和长达40年的数据保存能力,工作温度范围为-40°C至85°C,满足工业环境应用需求。其8-SOIC封装适合表面贴装,易于集成到空间受限的设计中。

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