M24C04-DRDW3TP/K

M24C04-DRDW3TP/K是一款基于成熟EEPROM技术构建的非易失性存储器芯片，其内部组织为512 x 8位的阵列结构，提供总计4Kb的存储容量。该器件采用高度可靠的CMOS浮栅工艺，确保了数据在掉电情况下长达数十年的长期保持能力。其核心设计专注于在宽电压范围内实现稳定的读写操作，并通过内置的纠错与写保护机制来保障数据完整性，这对于需要频繁更新配置或记录关键运行日志的应用至关重要。

该芯片的一个显著特性是其兼容标准IC（Inter-Integrated Circuit）串行接口，最高时钟频率可达1MHz，实现了高速的双线通信，有效节省了微控制器的I/O引脚和PCB布局空间。其访问时间仅为450ns，配合快速的页写操作，显著提升了数据吞吐效率。宽达1.7V至5.5V的供电电压范围使其能够无缝兼容从低功耗电池供电设备到标准5V系统的各种电源架构，增强了设计的灵活性。此外，其写周期时间（字/页）典型值为4ms，在同类产品中具备竞争力，平衡了写入速度与数据可靠性。

在电气与物理规格方面，该器件表现出高度的环境适应性。其工作温度范围覆盖-40°C至125°C的工业及汽车级标准，能够满足严苛环境下的稳定运行需求。芯片采用8引脚TSSOP表面贴装封装，体积紧凑，适合高密度PCB板设计。其供货形式包括卷带（TR）和剪切带（CT），便于自动化贴片生产。作为ST意法半导体Automotive系列并通过AEC-Q100认证的成员，它专为汽车电子应用而设计，确保了在振动、高温等挑战性条件下的高可靠性。对于需要稳定供应的项目，可以通过ST中国代理获取详细的技术支持与供应链服务。

凭借其高可靠性、宽电压兼容性和宽温工作能力，M24C04-DRDW3TP/K非常适合应用于汽车电子系统（如车身控制模块、仪表盘、传感器数据记录）、工业控制（PLC参数存储、设备配置）、消费电子（智能家电、物联网设备参数保存）以及医疗设备等对数据非易失性存储有严格要求且环境复杂的领域。其IC接口的通用性也使其成为各类微控制器和处理器系统的理想外设存储器选择。

• 型号:M24C04-DRDW3TP/K
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-TSSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:EEPROM
• 技术:EEPROM
• 存储容量:4Kb
• 存储器组织:512 x 8
• 存储器接口:I2C
• 时钟频率:1 MHz
• 写周期时间 - 字，页:4ms
• 访问时间:450 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
• 供应商器件封装:8-TSSOP
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M24C04-DRDW3TP/K是ST意法半导体推出的一款4Kb容量串行EEPROM存储器。该器件采用标准的IC接口，支持高达1MHz的通信时钟频率，具备450ns的快速访问时间，可实现高效的数据读写。其宽电压供电范围（1.7V至5.5V）提供了出色的电源兼容性。

作为通过AEC-Q100认证的汽车级产品，该芯片可在-40°C至125°C的极端温度范围内稳定工作，确保在汽车电子等严苛环境下的高可靠性。其4ms的典型写周期时间与非易失性存储特性，使其成为需要可靠保存配置参数、校准数据或事件日志的各种嵌入式系统的理想选择。