STF10P6F6

STF10P6F6是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能P沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装，专为要求高效率与可靠性的功率开关应用而设计。该器件隶属于STripFET VI产品系列，并采用了先进的DeepGATE技术，这一架构通过优化单元密度和沟道设计，在相同的芯片面积内实现了更低的导通电阻和更优的开关性能，从而有效降低了传导损耗和开关损耗。

该MOSFET的核心特性包括60V的漏源击穿电压（Vdss）和在壳温（Tc）条件下高达10A的连续漏极电流能力。其导通电阻（Rds(on)）在Vgs=10V、Id=5A的条件下典型值仅为160毫欧，这一低导通电阻特性对于提升系统整体效率至关重要，尤其是在大电流开关应用中能显著减少功率损耗。此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为6.4nC @ 10V，较低的栅极电荷意味着驱动电路所需的能量更少，有助于简化驱动设计并进一步提升高频开关应用的效率。

在接口与参数方面，STF10P6F6的栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，提供了较宽的驱动安全裕度。其阈值电压Vgs(th)最大值为4V @ 250A，确保了良好的噪声抑制能力。输入电容（Ciss）在Vds=48V时最大值为340pF，结合低栅极电荷，共同构成了其快速开关能力的基础。器件最大功率耗散为20W（Tc），最高结温（TJ）可达150°C，展现了其稳健的热性能。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道获取相关技术资料与库存信息。

凭借其优异的电气性能和TO-220FP封装提供的通孔安装便利性与散热能力，这款MOSFET非常适用于DC-DC转换器、电机驱动控制、电源管理模块中的负载开关或反向极性保护等场景。它能够有效处理中等功率等级的开关任务，在工业自动化、消费电子电源以及汽车辅助系统等领域的功率路径管理中发挥关键作用，尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有系统设计和备件供应中仍具有重要参考价值。

• 型号:STF10P6F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 10A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 48 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 想获取STF10P6F6的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STF10P6F6是ST意法半导体生产的一款P沟道功率MOSFET，采用TO-220FP通孔封装。该器件基于STripFET VI系列与DeepGATE技术，提供了优异的开关性能与功率处理能力。

其关键参数包括60V的漏源电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id）。核心优势在于极低的导通电阻（160毫欧 @ 5A，10V）和较低的栅极电荷（6.4nC @ 10V），这共同确保了在高频开关应用中实现低传导损耗与低驱动损耗，提升整体能效。器件支持高达150°C的结温工作，最大功率耗散为20W。