M24C04-DRMN3TP/K

M24C04-DRMN3TP/K 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的4Kb串行EEPROM存储器芯片，采用成熟的CMOS浮栅技术制造。其核心架构基于512 x 8位的存储阵列组织，通过内部地址锁存器、升压电路和IC接口逻辑控制器协同工作，确保数据读写的稳定与高效。该器件内部集成了高压发生器，使得在单电源电压下即可完成擦写操作，简化了外围电路设计。

该芯片具备一系列面向严苛应用环境的设计特点。宽电压工作范围（1.7V至5.5V）使其能够无缝兼容从1.8V、3.3V到5V的各种主流逻辑电平系统，提升了设计的灵活性。其IC串行接口支持标准模式（100kHz）、快速模式（400kHz）和高速模式（1MHz），最高时钟频率可达1MHz，结合450ns的快速访问时间，能够满足多数应用对数据交换速率的要求。在数据可靠性方面，其写周期时间（字/页）为4ms，并提供了超过100万次的擦写周期以及超过40年的数据保存期限。

接口与电气参数充分体现了其工业级与车规级的可靠性。该器件遵循完整的IC总线协议，支持随机和顺序读取模式，并具有写保护功能。其工作温度范围覆盖-40°C至125°C，符合AEC-Q100标准，使其能够胜任汽车电子等对温度要求极高的应用场景。芯片采用8引脚SOIC封装，支持表面贴装，便于集成到高密度的PCB设计中。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过ST中国代理获取相关的产品资料和采购服务。

基于其非易失性存储、高可靠性及宽温特性，M24C04-DRMN3TP/K非常适合应用于需要存储配置参数、校准数据或事件记录的领域。典型应用包括汽车电子系统中的车身控制模块、仪表盘、传感器数据记录，以及工业控制、医疗设备、智能电表和消费类电子产品。其小尺寸封装和低功耗特性也使其成为空间受限的便携式设备的理想选择。

• 型号:M24C04-DRMN3TP/K
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:EEPROM
• 技术:EEPROM
• 存储容量:4Kb
• 存储器组织:512 x 8
• 存储器接口:I2C
• 时钟频率:1 MHz
• 写周期时间 - 字，页:4ms
• 访问时间:450 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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M24C04-DRMN3TP/K 是意法半导体推出的一款4Kb容量串行EEPROM存储器，采用IC接口，最高通信速率达1MHz。该器件提供512 x 8位的非易失性存储空间，支持百万次擦写操作和长达40年的数据保存能力。

其核心优势在于宽泛的1.7V至5.5V工作电压范围以及-40°C至125°C的扩展工业级温度范围，并通过了AEC-Q100认证，满足汽车电子应用的严苛要求。此外，4ms的写周期时间和450ns的访问时间确保了高效的数据吞吐性能。