STF32NM50N

STF32NM50N是ST意法半导体基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心在于多外延层与特殊单元布局，有效降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时通过优化的体二极管特性改善了反向恢复性能，为开关电源应用提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET具备多项关键电气特性。其500V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC转换及电机驱动中常见的高压母线环境。在25°C壳温条件下，器件可支持高达22A的连续漏极电流。尤为突出的是其导通电阻表现，在10V栅极驱动电压、11A漏极电流的典型工作点下，Rds(on)最大值仅为130毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。此外，其栅极电荷（Qg）最大值控制在62.5nC（@10V），有助于降低开关过程中的驱动损耗，提升高频开关性能。

在接口与参数方面，STF32NM50N采用标准的TO-220FP通孔封装，该封装在提供良好散热能力的同时，其全塑封结构也增强了电气绝缘性。器件的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，具备一定的噪声抑制能力。其最大栅源电压（Vgs）为±25V，为栅极驱动提供了充足的裕量。功率耗散能力在壳温条件下为35W，结合最高150°C的结温（TJ），确保了其在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过官方授权的ST一级代理进行采购是推荐的渠道。

凭借其高耐压、低导通电阻及良好的开关特性，STF32NM50N非常适用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、以及不同断电源（UPS）和焊接设备等。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数对于理解MDmesh II系列器件在高压应用中的优势仍具有重要参考价值。

• 型号:STF32NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 500V 22A TO-220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1973 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF32NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用金属氧化物半导体场效应晶体管技术，核心规格包括500V的漏源电压（Vdss）和22A的连续漏极电流（Tc=25°C），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的导通特性，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为130毫欧（@11A），配合62.5nC的较低栅极电荷（Qg），有效优化了导通与开关损耗。器件采用TO-220FP通孔封装，最大功率耗散为35W（Tc），工作结温高达150°C，确保了在工业级功率转换场景中的稳定性和耐用性。