STD3NK50Z-1

ST意法半导体推出的STD3NK50Z-1是一款采用SuperMESH技术的N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔安装的I-PAK封装，其核心设计旨在优化高压开关应用中的性能表现，通过先进的沟槽栅极和单元结构实现了低导通电阻与高开关效率的平衡。

该MOSFET具备500V的漏源击穿电压(Vdss)，为离线式开关电源、功率因数校正(PFC)等高压环境提供了可靠的电压裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流(Id)额定值为2.3A，结合仅3.3欧姆的最大导通电阻(Rds(on))（测试条件为Vgs=10V， Id=1.15A），有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。其栅极驱动设计兼容性强，10V的驱动电压即可确保器件在低栅极电荷(Qg)下完全开启，最大栅极电荷仅为15nC（@10V），这有助于简化驱动电路设计并减少开关损耗，尤其适合高频开关应用。

在电气参数方面，Vgs(th)阈值电压最大值为4.5V（@50A），提供了良好的噪声抑制能力。其输入电容(Ciss)在25V漏源电压下最大值为280pF，结合±30V的最大栅源电压，确保了驱动的安全性与稳定性。器件的最大功率耗散为45W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，使其能够适应严苛的工作环境。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST一级代理获取相关技术支持和库存信息。

基于其高压、低导通损耗及快速开关特性，STD3NK50Z-1非常适合应用于中小功率的AC-DC开关电源、LED照明驱动、电子镇流器以及电机控制等领域的功率开关和转换电路。其I-PAK封装也为通孔PCB设计提供了便利的散热和机械安装方案。

• 型号:STD3NK50Z-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 2.3A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.3 欧姆 @ 1.15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:280 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STD3NK50Z-1是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件采用I-PAK通孔封装，核心特性包括500V的漏源电压(Vdss)和2.3A的连续漏极电流(Id)，为高压应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的开关性能上，在10V驱动电压下，最大导通电阻(Rds(on))仅为3.3欧姆，同时栅极电荷(Qg)低至15nC。这种低导通电阻与低栅极电荷的组合，有效降低了导通损耗和开关损耗，提升了电源系统的整体效率。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在各类环境下的稳定运行。