STW23NM60ND

STW23NM60ND是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的FDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心在于通过精密的单元布局和工艺控制，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时保持了优异的开关特性与雪崩耐量，为高效能功率转换提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（Vdss），能够从容应对工业级AC-DC电源、电机驱动等应用中的高压母线环境。在25°C壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达19.5A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻在典型工作点（10A，10V）下最大仅为180毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。此外，其栅极电荷（Qg）最大值控制在70nC（@10V），配合适中的输入电容，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，实现更快的开关速度。

器件采用标准的TO-247-3通孔封装，提供了优异的导热路径，其最大功率耗散能力为150W（Tc），结合高达150°C的结温（TJ）额定值，确保了在严苛热环境下的可靠运行。其栅源电压（Vgs）支持±25V的最大范围，而开启阈值电压（Vgs(th)）典型值较低，确保了与常见控制器良好的兼容性和驱动的便捷性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方ST授权代理获取相关的技术资料与库存信息。

凭借其高耐压、大电流和低损耗的特性，STW23NM60ND非常适用于对效率和可靠性要求较高的功率电子领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、不同断电源（UPS）以及焊接设备等。它为工程师在设计高效、紧凑的功率系统时，提供了一个经过验证的高性能开关解决方案。

• 型号:STW23NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 19.5A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2050 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW23NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和19.5A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的导通与开关性能上：在10V驱动电压、10A电流条件下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为180毫欧，有助于最小化导通损耗；同时，最大70nC的栅极电荷（Qg）有利于实现快速的开关切换，降低开关损耗。器件支持高达150°C的结温工作，并具备150W的功率耗散能力，确保了系统的热可靠性。