M24C08-DRDW3TP/K

M24C08-DRDW3TP/K是一款基于成熟EEPROM技术构建的非易失性存储器芯片，其核心采用1K x 8位的存储阵列架构，总容量为8Kb。该器件内部集成了高精度电压检测与升压电路，确保在宽电压范围内数据的可靠写入与擦除。其设计严格遵循汽车级AEC-Q100标准，从晶圆制造到最终封装均经过严苛的可靠性验证，以满足汽车电子对长寿命和高稳定性的严苛要求。

该芯片的功能特性围绕高可靠性与易用性展开。它支持标准的IC两线串行接口，最高时钟频率可达1MHz，实现了高速数据读写，典型字或页写入周期时间为4ms，访问时间仅为450ns。其宽电压工作范围（1.7V至5.5V）使其能够无缝兼容从低功耗微控制器到传统5V系统的多种供电环境，极大提升了设计灵活性。此外，器件内置的写保护机制和可编程硬件写保护引脚，为关键配置数据提供了额外的安全屏障。对于需要稳定供应的客户，可以通过正规的ST代理商获取原装产品及完整的技术支持。

在接口与关键参数方面，该芯片的IC接口支持400kHz和1MHz两种模式，并具有随机和顺序读取模式。其页写入大小为16字节，有助于提升批量数据存储的效率。芯片的耐久性指标突出，可承受至少400万次的写循环，数据保存期限长达40年。这些参数共同保障了其在频繁数据更新场景下的长期数据完整性。封装形式为紧凑的8引脚TSSOP，适合高密度PCB板布局，并提供卷带（TR）和剪切带（CT）包装以适应自动化贴装生产。

凭借其汽车级品质、宽压操作和高可靠性，M24C08-DRDW3TP/K非常适用于要求严苛的应用场景。典型应用包括汽车电子中的车身控制模块（BCM）、仪表盘、传感器数据记录，以及需要存储校准参数、用户设置或事件日志的工业控制系统。其宽温工作范围（-40°C至125°C）也使其成为户外设备、智能电表和物联网终端节点中非易失存储的理想选择。

• 型号:M24C08-DRDW3TP/K
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-TSSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:已验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:EEPROM
• 技术:EEPROM
• 存储容量:8Kb
• 存储器组织:1K x 8
• 存储器接口:I2C
• 时钟频率:1 MHz
• 写周期时间 - 字，页:4ms
• 访问时间:450 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
• 供应商器件封装:8-TSSOP
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M24C08-DRDW3TP/K是ST意法半导体推出的一款8Kb容量的串行EEPROM存储器，采用IC接口，通信速率高达1MHz。该器件属于Automotive, AEC-Q100系列，具备汽车级可靠性，工作温度范围覆盖-40°C至125°C，供电电压适应广泛的1.7V至5.5V，确保了在恶劣环境和不同电源架构下的稳定运行。

其核心特性包括1K x 8位的存储结构、4ms的写入时间以及长达40年的数据保存期限。器件提供8-TSSOP表面贴装封装，支持卷带和剪切带包装，便于自动化生产。这些特性使其成为需要高耐久性、非易失性数据存储的汽车电子、工业控制及消费类应用的可靠解决方案。