M24C08-WBN6P

M24C08-WBN6P是ST意法半导体推出的一款基于IC串行接口的8Kb EEPROM存储器芯片。该器件采用成熟的CMOS浮栅技术制造，其核心存储单元阵列组织为1K x 8位结构，提供可靠的非易失性数据存储。即使在断电情况下，存储的数据也能长期保持，无需额外的电池备份电路，这使其成为需要保存配置参数、校准数据或运行日志等关键信息的系统的理想选择。

该芯片的功能设计充分考虑了工业应用的稳定性和易用性。它支持标准的IC两线制串行接口（时钟线SCL和数据线SDA），最高时钟频率可达400kHz，实现了在总线上的快速数据传输。器件内置的写控制逻辑支持字节写和页写操作，页写缓冲区容量为16字节，能有效提升连续数据的写入效率。为确保数据写入的完整性与可靠性，芯片内部集成了必要的定时电路，典型的字或页写入周期时间为5ms。此外，它具备写保护功能，可通过硬件引脚控制，防止存储内容被意外修改。

在电气接口与参数方面，M24C08-WBN6P展现了良好的兼容性与鲁棒性。其工作电压范围宽达2.5V至5.5V，能够无缝适配3.3V和5V的混合逻辑系统，简化了电源设计。数据访问时间典型值为900ns，确保了处理器能够高效读取信息。器件采用标准的8引脚DIP通孔封装，便于在原型开发或需要高可靠性的通孔PCB板上进行焊接和安装。其工作温度范围覆盖-40°C至85°C的工业级标准，保证了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应的项目，可以通过正规的ST芯片代理渠道获取相关技术支持和库存信息。

基于上述特性，该芯片广泛应用于各类需要中小容量、可靠非易失存储的电子设备中。典型应用场景包括工业控制系统中的参数存储、智能电表的数据记录、汽车电子的模块配置、医疗设备的校准数据保存，以及通信设备、消费电子和电脑外围设备中的各种设置信息存储。其标准的IC接口使其能够轻松与绝大多数微控制器或微处理器连接，成为系统设计中一个简单而可靠的存储解决方案。

• 型号:M24C08-WBN6P
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-PDIP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC EEPROM 8KBIT I2C 400KHZ 8DIP
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:EEPROM
• 技术:EEPROM
• 存储容量:8Kb
• 存储器组织:1K x 8
• 存储器接口:I2C
• 时钟频率:400 kHz
• 写周期时间 - 字，页:5ms
• 访问时间:900 ns
• 电压 - 供电:2.5V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:8-DIP（0.300，7.62mm）
• 供应商器件封装:8-PDIP
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M24C08-WBN6P是ST意法半导体生产的一款8Kb容量串行EEPROM存储器，采用标准的IC接口，通信速率最高可达400kHz。该器件提供1K x 8位的非易失存储空间，数据在断电后仍可长期保存，典型的字或页写入时间为5ms。

其工作电压范围宽泛（2.5V~5.5V），兼容性强，并支持-40°C至85°C的工业级工作温度。芯片采用8引脚DIP通孔封装，适用于对可靠性要求较高的各类嵌入式系统，用于存储配置参数、校准数据或事件日志等关键信息。