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M24C16-WMN6P的图片

M24C16-WMN6P

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 16KBIT I2C 8SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,M24C16-WMN6P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M24C16-WMN6P的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M24C16-WMN6P是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款基于IC串行接口的16Kb EEPROM存储器芯片。该器件采用成熟的CMOS浮动栅极EEPROM技术构建,其核心架构由一个2K x 8位的存储阵列、一个片上地址/数据寄存器和完整的IC协议控制器组成。这种设计确保了在单电源供电下,数据能够被可靠地写入、读取和长期保存,其非易失特性意味着在断电后所有存储信息均能完整保留。

该芯片的功能特点突出体现在其宽电压工作范围(2.5V至5.5V)高达400kHz的快速时钟频率上,这使其能够轻松兼容从3.3V到5V的各种主流逻辑系统。其页写模式允许在一次操作中连续写入多达16字节的数据,配合典型的5ms写周期时间,有效提升了数据批量存储的效率。同时,900ns的快速访问时间保证了数据读取的即时性,满足了实时性要求较高的应用需求。其稳健的设计还体现在高达100万次的擦写周期超过40年的数据保存期限上,确保了关键参数和配置信息的长期可靠性。对于需要稳定供应链和技术支持的客户,可以通过ST授权代理获取正品器件和全面的设计资源。

在接口与参数方面,M24C16-WMN6P严格遵循标准的IC总线协议,通过串行数据线(SDA)和串行时钟线(SCL)与主控制器通信,仅需两个I/O引脚即可实现完整的存储控制,极大节省了微控制器的引脚资源。芯片内部具有写保护功能,可通过硬件引脚控制,防止意外写入。其工作温度范围覆盖-40°C至85°C的工业级标准,并采用8引脚SOIC表面贴装封装,具有良好的机械强度和适用于自动化生产的封装形式,适合在各种严苛的环境下稳定工作。

凭借其高可靠性、低功耗和易于集成的特点,M24C16-WMN6P广泛应用于需要存储配置参数、校准数据、用户设置或事件日志的电子系统中。典型应用场景包括工业控制模块、智能电表、汽车电子(如车身控制模块)、医疗设备、通信模块以及各类消费电子产品。其小巧的封装和简单的两线接口,使其成为在空间受限或需要简化布线的设计中,实现非易失性数据存储的理想解决方案。

  • 型号:M24C16-WMN6P
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 16KBIT I2C 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:不适用于新设计
  • 南皇电子 可编程:已验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:16Kb
  • 存储器组织:2K x 8
  • 存储器接口:I2C
  • 时钟频率:400 kHz
  • 写周期时间 - 字,页:5ms
  • 访问时间:900 ns
  • 电压 - 供电:2.5V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 想获取M24C16-WMN6P的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M24C16-WMN6P是ST意法半导体生产的一款16Kb(2K x 8)串行EEPROM存储器。该器件采用IC接口,支持高达400kHz的通信速率,并具备2.5V至5.5V的宽电压工作范围,兼容性出色。

其核心特性包括高达100万次的擦写周期、超过40年的数据保存能力以及5ms的典型页写入时间。芯片采用8-SOIC表面贴装封装,工作温度范围为-40°C至85°C,满足工业级应用对可靠性和环境适应性的严苛要求。

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