M24C64-RMN6TP

M24C64-RMN6TP是一款由意法半导体（STMicroelectronics）设计生产的高性能串行EEPROM存储器芯片。该器件采用成熟的CMOS浮栅技术构建其非易失性存储单元阵列，其核心架构为8K x 8位的组织形式，总计提供64Kbit的存储容量。数据在断电后仍能长期保持，确保了关键配置参数、运行日志或用户数据的可靠性。其内部集成了高压生成电路，使得在单一的低电压供电环境下即可完成对存储单元的擦写操作，简化了外围电路设计。

该芯片通过标准的IC（Inter-Integrated Circuit）两线制串行接口与主控制器通信，最高时钟频率可达1MHz，实现了快速的数据传输。其访问时间仅为450ns，配合高效的页写模式（通常支持高达32字节的页写操作），显著提升了批量数据存储的效率，单字节或页写的典型周期时间为5ms。宽电压供电范围（1.8V至5.5V）是其显著优势之一，使其能够无缝兼容从低功耗微控制器到传统5V系统的各类应用平台，增强了设计的灵活性。同时，其工作温度范围覆盖-40°C至85°C，满足工业级应用对环境适应性的严苛要求。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方ST授权代理进行采购，确保获得原装正品与技术支持。

在物理封装上，M24C64-RMN6TP采用8引脚SOIC表面贴装封装，宽度为3.90mm，适合空间紧凑的PCB布局。产品提供卷带（TR）或剪切带（CT）包装，适配自动化贴片生产流程，提升了大规模制造的效率与一致性。其低功耗特性在待机和读写操作中均有体现，非常适用于电池供电的便携式设备。

基于其稳健的性能与接口通用性，该芯片广泛应用于需要可靠、小尺寸、非易失性存储方案的领域。典型应用场景包括工业控制系统中的参数存储、智能电表的数据记录、汽车电子中的模块配置信息存储、医疗设备的用户设置保存，以及各类消费电子产品如电视机顶盒、物联网传感器节点和智能家居控制器等。其IC接口的普遍性也使其成为微控制器开发板与原型设计中扩展存储的常用选择。

• 型号:M24C64-RMN6TP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:已验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:EEPROM
• 技术:EEPROM
• 存储容量:64Kb
• 存储器组织:8K x 8
• 存储器接口:I2C
• 时钟频率:1 MHz
• 写周期时间 - 字，页:5ms
• 访问时间:450 ns
• 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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M24C64-RMN6TP是STMicroelectronics推出的一款64Kbit串行EEPROM存储器，采用IC接口，通信速率高达1MHz。该器件提供8K x 8位的非易失性存储空间，确保数据在断电后不丢失，其宽泛的1.8V至5.5V工作电压范围使其具备出色的系统兼容性。

芯片具备450ns的快速访问时间和5ms的典型写周期时间，并支持页写操作以提升效率。其工业级工作温度范围（-40°C至85°C）和8-SOIC表面贴装封装，使其成为要求高可靠性、小尺寸和低功耗的工业控制、汽车电子及消费类应用的理想存储解决方案。