M24C64-WMN6T

M24C64-WMN6T是ST意法半导体推出的一款基于成熟EEPROM技术的非易失性存储器芯片。该器件采用串行IC总线接口，其核心架构围绕一个组织为8K x 8位（总计64Kb）的存储阵列构建。内部集成了必要的地址解码器、控制逻辑和高电压生成电路，以实现对单个存储单元的可靠编程与擦除。其设计确保了在宽广的2.5V至5.5V供电电压范围内稳定工作，并兼容从标准模式到快速模式的IC通信协议，最高时钟频率可达1MHz。

该芯片的功能特点突出其可靠性与易用性。它支持字节写和页写操作，页写缓冲区最多可达32字节，有效提高了连续数据写入的效率，典型的字或页写入周期时间为5ms。同时，其读取访问时间仅为450ns，确保了系统在读取关键配置或数据时的响应速度。器件内置的写保护功能可通过硬件引脚控制，防止存储内容被意外篡改。其非易失性特性保证了在断电情况下数据依然能够长期保持，而高达100万次的擦写周期以及超过40年的数据保存期限，则充分满足了工业级应用对耐久性和可靠性的严苛要求。

在接口与电气参数方面，M24C64-WMN6T通过简洁的两线制IC接口（串行时钟线SCL和串行数据线SDA）与主控制器连接，极大节省了微控制器的I/O资源。其工作温度范围覆盖-40°C至85°C，适用于各种苛刻的环境。芯片采用表面贴装型的8引脚SOIC封装，便于集成到高密度的电路板设计中。尽管该产品目前已处于停产状态，但在存量系统维护或特定设计中仍有应用需求，用户可通过授权的ST代理商获取库存或替代方案咨询。

凭借其稳定的性能、广泛的电压兼容性和工业级温度范围，M24C64-WMN6T典型应用于需要存储配置参数、校准数据、用户设置或事件日志的各类电子系统中。常见的应用场景包括工业控制模块、智能电表、汽车电子子系统（如车身控制模块）、医疗设备以及消费电子产品等，在这些领域，它为系统提供了关键且可靠的数据存储解决方案。

• 型号:M24C64-WMN6T
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:EEPROM
• 技术:EEPROM
• 存储容量:64Kb
• 存储器组织:8K x 8
• 存储器接口:I2C
• 时钟频率:1 MHz
• 写周期时间 - 字，页:5ms
• 访问时间:450 ns
• 电压 - 供电:2.5V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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M24C64-WMN6T是ST意法半导体生产的一款64Kb容量串行EEPROM存储器。该器件采用标准的IC接口，最高支持1MHz的通信时钟频率，并能在2.5V至5.5V的宽电压范围内工作，为系统设计提供了灵活的电源兼容性。

其核心优势在于提供了可靠的非易失性数据存储解决方案，具备快速的450ns读取访问时间，并支持高效的页写模式。该芯片满足工业级温度标准（-40°C至85°C），采用8-SOIC封装，适用于表面贴装工艺，主要面向需要持久保存关键参数或数据的嵌入式应用。