M24M01-HRMN6P

M24M01-HRMN6P是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款基于成熟EEPROM技术的非易失性存储器芯片。该器件采用标准的IC串行接口，其核心架构围绕一个组织为128K x 8位（总计1Mb）的存储阵列构建，通过内部地址寄存器和控制逻辑实现高效的数据存取。其设计充分考虑了系统集成的便利性与可靠性，能够在广泛的电压和温度范围内稳定工作，为需要持久保存配置参数、用户数据或事件日志的应用提供了一个坚实的存储基础。

该芯片的功能特点突出体现在其宽电压工作范围与高速访问性能上。它支持1.8V至5.5V的单电源供电，使其能够无缝兼容从低功耗微控制器到传统5V系统的各类平台，极大地增强了设计的灵活性。其IC接口时钟频率最高可达1MHz，在快速模式下运行，结合仅500ns的访问时间，能够满足多数应用对数据读写速度的要求。此外，其页写操作和5ms的典型写周期时间，在保证数据可靠写入的同时，也优化了批量数据存储的效率。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过专业的ST芯片代理获取相关产品信息与技术支持。

在接口与关键参数方面，M24M01-HRMN6P提供了完整的IC总线兼容性，支持标准的设备地址寻址，便于在同一总线上连接多个器件。其128字节的页写缓冲区进一步提升了连续数据写入的效率。该器件采用8引脚SOIC封装，属于表面贴装类型，适合自动化生产。其工作温度范围覆盖工业级的-40°C至85°C，确保了在苛刻环境下的稳定性和数据保持能力。尽管该产品状态已标注为停产，但其成熟的设计和参数特性使其在诸多现有设计和备件供应中仍具有重要参考价值。

基于其技术特性，M24M01-HRMN6P典型应用于需要中等容量、高可靠性非易失存储的场合。例如，在工业控制系统中，用于存储设备参数、校准数据；在消费电子产品中，用于保存用户设置和系统状态；在智能电表、传感器节点等物联网设备中，用于记录关键事件和累积数据。其宽压特性尤其适合由电池供电或电源状况复杂的便携式设备，确保在电压波动时数据存储的完整性。

• 型号:M24M01-HRMN6P
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC EEPROM 1MBIT I2C 1MHZ 8SOIC
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:EEPROM
• 技术:EEPROM
• 存储容量:1Mb
• 存储器组织:128K x 8
• 存储器接口:I2C
• 时钟频率:1 MHz
• 写周期时间 - 字，页:5ms
• 访问时间:500 ns
• 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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M24M01-HRMN6P是ST意法半导体生产的一款1Mb容量串行EEPROM存储器。该芯片采用IC接口，时钟频率最高1MHz，提供快速的数据传输能力。其电压供应范围宽达1.8V至5.5V，并支持-40°C至85°C的工业级工作温度，具备出色的系统兼容性与环境适应性。

该器件组织为128K x 8位，提供128字节页写模式，典型写周期时间为5ms。它采用8-SOIC表面贴装封装，适用于对空间和可靠性有要求的嵌入式设计。这些参数使其成为存储配置数据、用户设定及事件日志等关键信息的理想选择。