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M58LW032D90ZA6的图片

M58LW032D90ZA6

ST图标
存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC FLASH 32MBIT PARALLEL 64TBGA
原厂封装:产品封装:64-TBGA
优势价格,M58LW032D90ZA6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M58LW032D90ZA6的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M58LW032D90ZA6是ST意法半导体推出的一款采用并行接口的NOR闪存芯片,其核心架构基于成熟的浮栅技术,提供了可靠的非易失性数据存储。该器件采用64-TBGA封装,集成了32Mb(4M x 8位或2M x 16位)的存储阵列,支持灵活的字节或字宽配置,便于与不同位宽的数据总线连接。其内部逻辑设计优化了数据通路,在2.7V至3.6V的单电源电压下工作,确保了在宽电压范围内的稳定运行。

该芯片的功能特点突出体现在其90ns的快速访问时间上,这对于需要直接从闪存执行代码(XIP)或快速读取数据的应用至关重要。它采用并行接口,支持异步读写操作,提供了高效的数据吞吐能力。作为一款NOR闪存,它支持字节/字编程和扇区擦除操作,具备良好的数据保持特性。其工作温度范围覆盖-40°C至85°C,使其能够适应工业级和扩展商业温度环境的严苛要求。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过授权的ST代理获取相关的技术支持和库存信息。

在接口与关键参数方面,M58LW032D90ZA6提供了标准的存储器控制信号线,包括地址线、数据线、片选、输出使能和写使能等,接口时序符合行业惯例,易于集成到现有系统中。其2.7V至3.6V的宽电压供电范围兼容常见的3.3V逻辑系统,降低了电源设计的复杂性。表面贴装型的64-TBGA封装在提供紧凑占板面积的同时,也保证了良好的散热和机械可靠性。

鉴于其技术特性,M58LW032D90ZA6非常适合应用于对可靠性和实时性有较高要求的嵌入式领域。典型应用场景包括工业控制系统、网络通信设备、汽车电子模块(如仪表盘、车身控制单元)以及需要存储引导代码、应用程序或配置参数的各类电子设备。其快速读取能力和宽温特性,使其成为在恶劣环境下保证系统稳定启动和运行的关键存储组件。

  • 制造商产品型号:M58LW032D90ZA6
  • 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
  • 描述:IC FLASH 32MBIT PARALLEL 64TBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:托盘
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NOR
  • 存储容量:32Mb(4M x 8,2M x 16)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:90ns
  • 电压-供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:64-TBGA
  • 想获取M58LW032D90ZA6的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M58LW032D90ZA6是ST意法半导体生产的一款32Mb容量并行接口NOR闪存芯片,采用64-TBGA表面贴装封装。该器件提供4M x 8位或2M x 16位的灵活组织方式,核心优势在于其90ns的快速访问时间2.7V至3.6V的宽工作电压范围

作为非易失性存储器,它适用于需要可靠存储和快速读取的嵌入式系统,工作温度范围为-40°C至85°C,满足工业级应用需求。其并行接口设计便于与微处理器或微控制器直接连接,是存储启动代码、应用程序或关键参数的理想选择。

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