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M95256-RMB6TG

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 256KBIT SPI 8UFDFPN
原厂封装:封装:8-UFDFPN(2x3)
优势价格,M95256-RMB6TG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M95256-RMB6TG的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M95256-RMB6TG是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能串行EEPROM存储器芯片,采用先进的非易失性存储技术构建。其核心架构基于成熟的EEPROM单元设计,组织为32K x 8位的存储阵列,总容量达到256Kb。该芯片通过高效的串行外设接口(SPI)与主控制器通信,其接口设计支持标准SPI模式(0和3),确保了与广泛微控制器的兼容性。内部集成了地址锁存、数据缓冲以及高电压生成电路,使得在单一电源电压下即可完成所有编程和擦除操作,简化了外围电路设计。

该器件在功能上展现出显著的优势。宽电压供电范围(1.8V至5.5V)使其能够无缝适应从低功耗便携设备到标准工业系统的各种电源环境。高达10MHz的时钟频率赋予了其出色的数据传输速率,能够满足对实时性要求较高的应用场景。其页写操作模式允许一次性写入最多64字节的数据,配合典型的5ms写周期时间,有效提升了数据存储的整体效率。此外,芯片内置的写保护机制和状态寄存器,为存储数据的安全性提供了硬件层面的保障。

在接口与关键参数方面,M95256-RMB6TG采用8引脚UFDFN封装,符合表面贴装(SMT)工艺要求,有利于实现紧凑的电路板布局。其工作温度范围覆盖-40°C至85°C,确保了在严苛工业环境下的可靠运行。尽管该产品目前已处于停产状态,但在存量系统维护或特定设计延续中,通过专业的ST代理商渠道,仍可获取原装正品以保障系统长期稳定性。其低功耗特性与高耐久性(可承受百万次擦写循环,数据保存期超过40年)是其长期可靠性的基石。

基于其稳健的性能,M95256-RMB6TG非常适合应用于需要可靠参数存储、配置信息保存或事件日志记录的领域。典型应用场景包括工业自动化控制系统中的参数备份、汽车电子中的里程或故障信息存储、智能电表的数据记录、医疗设备的配置存储以及各类消费电子产品中的用户设置保存。其SPI接口的简洁性与宽电压特性,使其成为连接各种主控芯片、实现小型化、低功耗非易失存储解决方案的经典选择。

  • 型号:M95256-RMB6TG
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-UFDFPN(2x3)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 256KBIT SPI 8UFDFPN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:256Kb
  • 存储器组织:32K x 8
  • 存储器接口:SPI
  • 时钟频率:10 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:5ms
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-UFDFN 焊盘
  • 供应商器件封装:8-UFDFPN(2x3)
  • 想获取M95256-RMB6TG的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M95256-RMB6TG是ST意法半导体生产的一款256Kb容量串行EEPROM存储器,采用SPI接口,时钟频率最高可达10MHz。该芯片以32K x 8位的结构组织数据,提供了高效的非易失性存储解决方案。

其核心优势在于1.8V至5.5V的宽电压供电范围-40°C至85°C的宽工作温度范围,确保了其在多样化的电源环境和苛刻的工业条件下均能稳定工作。芯片采用8-UFDFN表面贴装封装,支持标准的SPI通信协议,便于集成。尽管产品状态为停产,但其高可靠性、低功耗及长达40年的数据保存能力,使其在需要持久、可靠参数存储的应用中仍具参考价值。

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