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ULN2074B

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS 4NPN DARL 50V 1.75A 16DIP
原厂封装:封装:16-PowerDIP(20x7.10)
优势价格,ULN2074B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ULN2074B的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

ULN2074B是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高可靠性、高电流增益的达林顿晶体管阵列。该器件内部集成了四个独立的NPN达林顿对,每个通道均采用复合晶体管结构,将输入级的驱动晶体管与输出级的功率晶体管进行级联。这种架构显著提升了整体的电流放大能力,使得微控制器或逻辑电路输出的微弱控制信号能够直接驱动高达1.75A的负载电流,同时将输入控制电路与可能存在噪声和电压尖峰的高功率负载进行有效隔离,增强了系统的稳定性和抗干扰性。

该芯片的核心优势在于其强大的驱动能力和集成的简化设计。每个达林顿通道都内置了用于快速关断的续流二极管,当驱动感性负载(如继电器、电机、螺线管)时,这些二极管为关断时产生的反电动势提供了泄放回路,有效保护了输出晶体管免受电压击穿。其集电极-发射极饱和压降典型值较低,在2mA输入电流、1.25A输出电流条件下最大仅为1.4V,这意味着在导通状态下芯片自身的功耗较小,更多的电能被用于驱动负载,提升了整体能效。高达50V的集射极击穿电压使其能够适应更广泛的工业电压环境。

在接口与参数方面,ULN2074B采用标准的16引脚PowerDIP通孔封装,便于在原型验证和成熟产品中进行焊接与测试。其工作温度范围覆盖-20°C至85°C,确保了在多数工业和消费电子环境下的稳定运行。每个通道的输入端与TTL/CMOS逻辑电平兼容,可直接由5V微处理器引脚驱动,输出端则为开集电极形式,提供了灵活的接线方式。其总功耗最大为1W,设计时需结合环境温度考虑适当的散热措施。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST一级代理进行采购,以确保获得原装正品和可靠的服务。

基于上述特性,该器件非常适合作为接口缓冲器或驱动器,广泛应用于需要多路中高功率控制的自动化场景。典型应用包括驱动步进电机、直流电机的H桥电路中的前置驱动级、各类继电器模块、LED数码管显示板、白炽灯阵列以及工业控制面板中的指示灯驱动。它将多个分立元件集成于单一封装内,不仅节省了PCB空间,简化了电路布局,也大幅提高了多路驱动系统的可靠性与一致性,是连接低功耗逻辑系统与真实物理世界执行机构的高效、经济之选。

  • 型号:ULN2074B
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:16-PowerDIP(20x7.10)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
  • 描述:TRANS 4NPN DARL 50V 1.75A 16DIP
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:4 NPN 达林顿(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1.75A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):1.4V @ 2mA,1.25A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):-
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):-
  • 功率 - 最大值:1W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:-20°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:16-PowerDIP(0.300,7.62mm)
  • 供应商器件封装:16-PowerDIP(20x7.10)
  • 想获取ULN2074B的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

ULN2074B是ST意法半导体生产的一款有源、四通道NPN达林顿晶体管阵列,属于双极性晶体管阵列系列。该器件专为需要高电流增益和简化电路设计的接口驱动应用而优化。

其核心卖点在于集成了四个独立的达林顿对,每个通道可提供高达1.75A的集电极电流和50V的集射极击穿电压,能够直接驱动继电器、螺线管、直流电机及LED显示等中功率负载。内置的续流二极管增强了驱动感性负载时的可靠性,而较低的Vce饱和压降(最大1.4V @ 2mA, 1.25A)则有助于降低导通损耗。采用16-PowerDIP通孔封装,兼容标准逻辑电平输入,工作温度范围为-20°C至85°C,是一款坚固耐用的通用型驱动解决方案。

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