STB21N65M5

STB21N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了低导通电阻与低栅极电荷的出色平衡，这一架构上的突破使其在高压开关应用中能够显著降低传导损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率。

该MOSFET的核心特性在于其卓越的电气性能。它具备650V的漏源击穿电压（Vdss），在25°C壳温条件下可支持高达17A的连续漏极电流。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、8.5A测试条件下典型值仅为190毫欧，这确保了在导通状态下具有极低的功率耗散。同时，其栅极总电荷（Qg）在10V条件下被控制在50nC以内，结合1950pF的输入电容（Ciss），意味着器件具有快速的开关速度和较低的驱动需求，有助于简化驱动电路设计并减少开关过程中的能量损失。

在接口与可靠性方面，该器件设计有±25V的栅源电压（Vgs）耐受范围，提供了充足的驱动安全裕量。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，具备良好的噪声抑制能力。器件采用标准的表面贴装D2PAK封装，该封装具有良好的热性能，在壳温（Tc）条件下最大功率耗散可达125W，结合高达150°C的结温（TJ）额定值，使其能够在严苛的热环境中稳定工作，满足工业级应用的可靠性要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

凭借其高耐压、低损耗和高可靠性的特点，STB21N65M5非常适用于要求高效率和高功率密度的开关电源（SMPS）拓扑，如功率因数校正（PFC）、LLC谐振转换器和反激式转换器。此外，它在电机驱动、工业照明、电焊机和UPS不间断电源等领域的功率开关与逆变电路中，也能作为核心开关元件，有效提升系统的能效等级和功率密度。

• 型号:STB21N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 17A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1950 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB21N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用表面贴装D2PAK封装，核心额定参数为650V漏源电压和17A连续漏极电流，专为高压、大电流开关应用而优化。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至190毫欧，同时栅极电荷（Qg）被控制在50nC以下。这种低导通损耗与快速开关特性的结合，使其成为提升开关电源（如PFC、LLC转换器）和电机驱动系统效率的理想选择。器件支持高达150°C的结温工作，确保了在苛刻环境下的长期运行可靠性。