STU4N62K3

STU4N62K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了低比导通电阻与高击穿电压的良好平衡。其核心架构旨在最大限度地降低导通损耗和开关损耗，同时确保在高压工作条件下的长期可靠性，为高效率功率转换应用提供了坚实的硬件基础。

得益于SuperMESH3技术的加持，该MOSFET展现出卓越的性能特性。高达620V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业电源、电机驱动等场合中常见的电压应力和开关尖峰。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至2欧姆（条件为1.9A），这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为22nC，较低的栅极电荷有助于降低驱动电路的损耗，并允许使用更简单、成本更优的栅极驱动器，从而实现更快的开关速度和更高的工作频率。

在电气参数方面，STU4N62K3在25°C壳温（Tc）下的连续漏极电流（Id）额定值为3.8A，最大功率耗散为70W（Tc）。其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，确保了良好的噪声抑制能力和抗误触发特性。器件支持高达±30V的栅源电压，提供了宽裕的驱动安全裕量。输入电容（Ciss）在50V漏源电压下最大值为550pF，结合低栅极电荷，共同优化了开关动态性能。该器件采用通孔安装的I-PAK封装，具有良好的机械强度和散热能力，其结温（Tj）最高可工作至150°C，适用于要求严苛的环境。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

凭借其高耐压、低导通电阻和良好的开关特性，STU4N62K3非常适合于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明用电子镇流器以及低功率电机驱动和逆变器等应用场景。在这些领域中，它能够有效提升能源转换效率，减小系统体积，并增强产品的可靠性。

• 型号:STU4N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 3.8A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 1.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:550 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STU4N62K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心优势在于620V的高漏源击穿电压（Vdss）与低至2欧姆的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这使其在导通期间的能量损耗显著降低。

该MOSFET在25°C壳温下可承受3.8A的连续漏极电流，最大功率耗散为70W。其开关性能通过仅22nC的最大栅极电荷（Qg）和550pF的输入电容（Ciss）得到优化，有利于实现高效率和高频开关操作。器件采用通孔式I-PAK封装，最高结温为150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行和良好的散热性能。