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P6KE180A的图片

P6KE180A

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 154VWM 317VC DO204AC
原厂封装:封装:DO-204AC(DO-15)
优势价格,P6KE180A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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P6KE180A的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

P6KE180A是ST意法半导体(STMicroelectronics)旗下P6KE系列TRANSIL产品线中的一款单向瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用经典的DO-15轴向封装。该器件基于成熟的齐纳二极管雪崩击穿原理构建其核心保护架构,其半导体结经过特殊设计和工艺处理,能够在纳秒级时间内响应并吸收来自外部的瞬态高能量脉冲,从而将敏感电子线路两端的电压箝位在一个安全的预定水平。这种快速响应特性使其成为抑制静电放电(ESD)、电感负载切换以及雷电感应等引起的电压尖峰的理想选择。

该器件具备一系列关键性能参数,构成了其可靠保护功能的基础。其反向断态电压(VRWM)典型值为154V,确保在电路正常工作时呈现高阻态,对系统功耗影响极小。当瞬态过压事件发生时,其击穿电压(VBR)最小值为171V,器件迅速进入低阻抗导通状态。其核心的箝位能力体现在,在经受标准10/1000s波形测试时,能够将高达12.6A的峰值脉冲电流(IPP)所产生的过电压限制在最大值317V(VC)以内,同时耗散高达600W的峰值脉冲功率。这种强大的浪涌吸收能力,配合其仅360pF(@1MHz)的结电容,使其在保护高速数据或信号线路时,能有效抑制过压的同时,最大限度地减少对信号完整性的影响。

在接口与参数方面,P6KE180A作为单向TVS二极管,其阳极和阴极定义明确,在电路布局和PCB设计时需要确保正确的极性连接,以实现对正极性瞬态脉冲的有效抑制。其通孔安装(THT)的DO-15封装形式,提供了坚固的机械结构和优异的散热特性,适合在需要高可靠性的工业环境中使用。对于需要采购正品ST元器件的用户,可以通过官方授权的ST代理渠道获取,以确保产品的质量和供货稳定性。

得益于其通用型的电压保护范围和强大的脉冲处理能力,P6KE180A广泛应用于各类需要对直流电源总线或信号线进行过压保护的场合。典型应用场景包括但不限于工业控制系统的电源输入端口、通信设备的直流供电线路、汽车电子中的负载突降保护,以及任何使用154V左右工作电压的电子设备的瞬态浪涌防护。其设计旨在为后端的集成电路、MOSFET或其他敏感元件提供一道坚固的电压屏障,显著提升整个电子系统的可靠性和抗干扰能力。

  • 型号:P6KE180A
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DO-204AC(DO-15)
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 154VWM 317VC DO204AC
  • 包装:剪切带(CT)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):154V
  • 电压 - 击穿(最小值):171V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):317V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):12.6A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:600W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:360pF @ 1MHz
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向
  • 供应商器件封装:DO-204AC(DO-15)
  • 想获取P6KE180A的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

P6KE180A是ST意法半导体推出的一款600W峰值功率的单向瞬态电压抑制(TVS)二极管,属于其TRANSIL系列。该器件设计用于在纳秒级时间内响应并吸收破坏性的电压瞬变,为核心电路提供可靠的过压保护。

其核心性能表现为:在154V反向工作电压下保持高阻抗,当电压超过171V最小值时迅速击穿,并将高达12.6A(8/20s波形)的浪涌电流所产生的电压箝位在不超过317V的水平。采用DO-15轴向封装,具备360pF的低结电容,使其成为保护工业电源、通信端口及通用电子设备,抵御ESD、雷击感应浪涌等瞬态事件的稳健解决方案。

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