PD57006TR-E

意法半导体（STMicroelectronics）推出的PD57006TR-E是一款基于LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）工艺技术制造的射频功率晶体管。该器件采用先进的半导体架构，专为在特定高频段提供高效、稳定的功率放大而设计。其LDMOS结构在继承传统MOSFET高输入阻抗和电压驱动优势的同时，通过优化的横向扩散工艺，显著提升了器件的频率特性、线性度和功率处理能力，使其在射频功率应用中表现出色。

该晶体管的核心功能特性突出，其工作频率为945MHz，在此频点上能够提供高达6W的功率输出，并具备15dB的功率增益，这意味着它能够有效地将输入信号放大至所需的功率水平。器件在28V的测试电压下，测试电流为70mA，展现出良好的工作点特性。其额定电压高达65V，额定电流为1A，这为其在复杂工况下的稳定运行提供了坚实的电压和电流裕量，确保了系统的可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与技术咨询。

在接口与电气参数方面，PD57006TR-E采用了PowerSO-10RF封装，该封装形式集成了裸露的底部焊盘，并具有两条成形引线。这种封装设计不仅优化了高频下的散热性能，通过裸露焊盘将芯片产生的热量高效传导至PCB，还改善了射频接地和引线电感，有助于维持信号完整性并提升整体功率附加效率。尽管该器件目前已处于停产状态，但其成熟的参数组合使其在特定存量或延续性设计中仍具参考价值。

基于其技术规格，该器件主要面向工作在945MHz附近的专业射频功率放大场景。典型的应用领域包括专用移动无线电（PMR）、无线基础设施的末级或驱动级放大器、以及其它需要中等功率输出的固定或便携式射频设备。其高增益和6W的输出功率使其非常适合作为发射链路中的关键放大单元，在保证信号覆盖范围和通信质量方面扮演重要角色。

• 型号:PD57006TR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:945MHz
• 增益:15dB
• 电压 - 测试:28 V
• 额定电流（安培）:1A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:70 mA
• 功率 - 输出:6W
• 电压 - 额定:65 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）
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PD57006TR-E是ST意法半导体生产的一款LDMOS射频功率晶体管，采用PowerSO-10RF封装。该器件设计用于945MHz频率，能够提供6W的射频功率输出，并具备15dB的高增益特性，可有效提升发射链路的信号强度。

其电气参数坚实，支持高达65V的额定电压和1A的额定电流，在28V测试电压下工作。裸露底部的封装设计优化了散热与高频性能。该器件适用于需要中等功率放大的专业无线通信设备，如专用无线系统及射频基础设施。