PD85015TR-E

PD85015TR-E是ST意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能射频功率晶体管，采用先进的横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）工艺制造。该器件专为在870MHz频段附近提供高功率、高效率的射频放大而设计，其核心架构基于优化的LDMOS技术平台，确保了在严苛的射频功率应用下具备卓越的线性度、增益稳定性和热管理能力。其内部结构经过精心设计，以最小化寄生参数，从而在指定的工作频率下实现优异的功率输出和效率表现。

该芯片的功能特点十分突出，在13.6V的典型工作电压下，能够稳定输出高达15W的射频功率，同时提供16dB的功率增益，这显著降低了前级驱动电路的设计复杂度与成本。其设计支持高达40V的额定电压，提供了充足的电压裕度，增强了系统在电压波动环境下的可靠性。器件在150mA的测试电流条件下进行特性标定，确保了参数的一致性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理获取此产品，确保原装正品和技术支持。

在接口与关键参数方面，PD85015TR-E采用PowerSO-10RF封装，该封装集成了裸露的底部金属焊盘，并带有两条成形引线。这种封装形式不仅优化了高频性能，减少了引线电感，其裸露焊盘设计更极大地提升了散热效率，允许通过PCB直接进行高效的热传导，这对于处理5A额定电流下的功耗至关重要。其有源的产品状态保证了长期稳定的供应，适用于需要持续生产的工业与通信项目。

该器件的典型应用场景集中于需要稳健射频功率放大的领域。它非常适合用于专业移动无线电（PMR）、陆地移动无线电（LMR）基站的中等功率放大级，以及工作在800-900MHz频段的其他无线通信基础设施，如中继器、驱动放大器等。其高增益和高输出功率的特性，使其能够作为末级功率放大器的理想驱动级，或在一些对尺寸和效率有要求的系统中作为最终功率输出级，为系统设计师提供了一个在性能、可靠性和成本之间取得优异平衡的解决方案。

• 型号:PD85015TR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:870MHz
• 增益:16dB
• 电压 - 测试:13.6 V
• 额定电流（安培）:5A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:150 mA
• 功率 - 输出:15W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）
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PD85015TR-E是ST意法半导体生产的一款有源、N沟道射频功率LDMOS场效应晶体管。该器件基于LDMOS技术，专为870MHz频段的高性能射频功率放大应用而优化。

其核心参数表现卓越，在13.6V工作电压下可提供高达15W的射频输出功率，并具备16dB的高功率增益，有效简化了驱动电路设计。器件采用散热增强型的PowerSO-10RF封装，额定电压达40V，额定电流为5A，确保了在严苛应用环境下的高可靠性和出色的热管理能力。