PD85025STR-E

PD85025STR-E是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款面向专业射频功率放大应用的高性能LDMOS场效应晶体管。该器件采用先进的横向扩散金属氧化物半导体工艺制造，专为在特定频段内提供高功率、高效率的射频信号放大而设计。其核心架构基于优化的LDMOS技术，在单芯片上实现了优异的功率密度与线性度平衡，内部结构针对热管理和高频性能进行了特别优化，确保在严苛的射频环境下保持稳定可靠的工作状态。

该器件在870MHz的中心频率下表现出色，能够提供高达10W的射频输出功率，同时具备17.3dB的典型功率增益，这显著降低了驱动级的设计复杂度和成本。其工作电压范围宽泛，测试电压为13.6V，额定电压高达40V，最大额定电流为7A，展现出强大的功率处理能力。尽管其噪声系数参数未在标准规格中明确标注，这通常意味着其设计更侧重于功率放大而非低噪声应用，符合其作为功率器件的市场定位。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理获取相关产品信息与库存支持。

在接口与参数方面，PD85025STR-E采用PowerSO-10RF封装，该封装形式集成了裸露的底部焊盘和两条直引线，这种设计极大地优化了器件的散热路径，允许将芯片产生的热量高效地传导至PCB板，从而提升系统的整体热可靠性，非常适合连续波或高占空比的应用场景。其测试条件（如300mA的测试电流）为工程师评估其在特定偏置点下的性能提供了明确参考。

基于其技术规格，PD85025STR-E非常适合应用于870MHz频段附近的专业无线通信设备，例如专用移动无线电（PMR）、无线基础设施的末级推动放大器、以及某些工业、科学和医疗（ISM）频段设备。其高增益和高输出功率特性使其成为构建紧凑、高效射频前端模块的理想选择。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计选型时需评估替代方案或现有库存的可用性，但在其生命周期内，它已被证明是相关应用领域中一款性能可靠的射频功率解决方案。

• 型号:PD85025STR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（直引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:870MHz
• 增益:17.3dB
• 电压 - 测试:13.6 V
• 额定电流（安培）:7A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:300 mA
• 功率 - 输出:10W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
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PD85025STR-E是ST意法半导体生产的一款N沟道LDMOS射频功率场效应晶体管，采用PowerSO-10RF封装。该器件核心设计用于在870MHz频率下提供高效的功率放大，其典型功率增益为17.3dB，射频输出功率可达10W，展现了出色的信号放大能力。

器件额定工作电压为40V，测试电压13.6V，最大额定电流7A，具备较强的功率处理性能。其封装底部的裸露焊盘设计优化了散热路径，提升了在持续高功率工作下的热可靠性。该晶体管主要面向需要高增益和高输出功率的专业射频放大应用场景。