STW60NM50N

STW60NM50N是ST意法半导体基于其成熟的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直结构设计，旨在实现高电压下的低导通损耗与快速开关性能的平衡。其核心架构通过优化的单元布局和工艺控制，有效降低了栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），这对于提升开关电源等应用的整体效率至关重要。

该MOSFET具备500V的漏源击穿电压（Vdss）和68A的连续漏极电流（Id）能力，展现了其处理高功率的潜力。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压、34A漏极电流条件下的导通电阻（Rds(on)）典型值仅为43毫欧，这一低导通电阻直接转化为更低的传导损耗和发热量。同时，其栅极电荷（Qg）被控制在178nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），有助于实现简洁高效的栅极驱动设计，并减少开关过程中的损耗。

器件采用坚固的TO-247通孔封装，提供了优异的散热路径，其结壳热阻低，支持高达446W（Tc）的功率耗散，确保了在高功率密度应用中的长期可靠性。其工作结温（Tj）最高可达150°C，提供了宽泛的安全工作裕度。对于需要高可靠性电源解决方案的设计，通过专业的ST芯片代理获取原厂技术支持与供应链保障尤为重要。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计选型时应考虑其替代型号或咨询制造商以获取最新产品信息。

凭借其高电压、大电流和低损耗的特性，STW60NM50N非常适用于要求苛刻的功率转换领域。典型的应用场景包括工业级开关模式电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路和DC-DC变换器、大功率电机驱动与变频器、不同断电源（UPS）系统以及电焊机等高性能设备。在这些应用中，它能够有效提升系统能效，减少散热需求，并增强整体功率级的鲁棒性。

• 型号:STW60NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 68A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):68A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:43 毫欧 @ 34A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:178 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5790 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW60NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件设计用于高电压、大电流的开关应用，其核心参数包括500V的漏源电压（Vdss）和68A的连续漏极电流（Id），提供了强大的功率处理能力。

其关键优势在于优异的导通性能，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至43毫欧（@34A），能显著降低传导损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg）和电容特性有助于实现快速开关，提升整体转换效率。器件采用TO-247封装，具备良好的散热性能，最大功率耗散可达446W（Tc），工作结温高达150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。