PD85035TR-E

PD85035TR-E是ST意法半导体推出的一款高性能射频功率晶体管，专为工作在UHF频段的高效率、高线性度功率放大应用而设计。该器件基于成熟的横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）工艺技术构建，这一架构在射频功率领域以其出色的功率密度、增益和可靠性而著称。LDMOS结构使得晶体管能够在较高的漏极电压下稳定工作，同时保持良好的热特性和阻抗匹配特性，为设计紧凑且高效的功率放大器模块奠定了坚实基础。

该芯片在13.6V的典型工作电压下，于870MHz中心频率处展现出卓越的性能。其高达17dB的功率增益显著降低了前级驱动电路的设计复杂度与成本，使得系统设计更为简洁。同时，它能够提供高达15W的射频输出功率，结合其8A的额定电流能力，确保了在严苛工作条件下的稳定输出与高功率处理能力。其40V的额定电压提供了充足的电压裕量，增强了系统在电压波动环境下的鲁棒性。对于需要可靠供应链与技术支持的设计项目，通过ST一级代理进行采购是确保产品正品与获取专业设计支持的有效途径。

在接口与物理封装方面，PD85035TR-E采用了先进的PowerSO-10RF封装。这种封装集成了裸露的底部金属焊盘，极大地优化了器件的散热路径，能够将芯片工作时产生的热量高效地传导至PCB的接地铜层或外部散热器，从而有效降低结温，提升长期工作的可靠性。其两条成形引线的设计也改善了高频下的引线电感，有利于在目标频段实现更优的阻抗匹配和功率传输效率。

得益于其优异的频率、增益和功率特性，PD85035TR-E非常适合于专业移动无线电、基站功率放大器末级或驱动级、以及其他工作在800-900MHz频段附近的固定或移动射频系统。它能够满足对输出功率、线性度和效率有严格要求的应用场景，是构建高性能、高可靠性UHF频段射频前端的关键元器件之一。

• 制造商产品型号：PD85035TR-E
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 射频
• 零件状态：有源
• 晶体管类型：LDMOS
• 频率：870MHz
• 增益：17dB
• 电压-测试：13.6V
• 额定电流（安培）：8A
• 噪声系数：-
• 电流-测试：350mA
• 功率-输出：15W
• 电压-额定：40V
• 封装：PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
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PD85035TR-E是ST意法半导体生产的一款有源LDMOS射频功率场效应晶体管（FET），属于晶体管-FET，MOSFET-射频系列。该器件核心设计用于870MHz频段，在13.6V工作电压下，能够提供高达15W的射频输出功率，并具备17dB的高功率增益，有效简化了驱动级设计。

其技术参数包括40V的额定电压和8A的额定电流，确保了强大的功率处理能力和工作可靠性。器件采用带裸露焊盘的PowerSO-10RF封装，显著优化了热管理性能，适用于要求高效率和高稳定性的UHF频段射频功率放大应用。