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SCT011HU75G3AG的图片

SCT011HU75G3AG

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分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
原厂封装:封装:HU3PAK
优势价格,SCT011HU75G3AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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SCT011HU75G3AG的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
  • 型号:SCT011HU75G3AG
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:HU3PAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:SiCFET(碳化硅)
  • 漏源电压(Vdss):750 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,18V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):15 毫欧 @ 80A,18V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.2V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):154 nC @ 18 V
  • Vgs(最大值):+18V,-5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3860 pF @ 400 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):652W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:HU3PAK
  • 封装/外壳:TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
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