SD2941-10R

SD2941-10R是ST意法半导体推出的一款高性能射频功率晶体管，采用M174封装，专为高频、甚高频及超高频（HF/VHF/UHF）大功率放大应用而设计。该器件基于成熟的N通道MOSFET技术构建，其核心架构针对射频功率放大进行了深度优化，内部结构旨在实现高效率的能量转换与出色的线性度，能够在严苛的射频环境下保持稳定的工作状态。

该晶体管在175MHz频率下可提供高达175W的射频输出功率，展现出强大的功率处理能力。其15.8dB的功率增益显著降低了前级驱动电路的设计复杂度与成本，使得系统设计更为简洁高效。器件具备130V的高额定电压与20A的额定电流能力，确保了其在高压摆幅和大电流工作条件下的可靠性。在50V测试电压、250mA测试电流的典型工作点下，器件性能得到充分表征，为工程师提供了精确的设计依据。

在接口与参数方面，SD2941-10R采用标准的射频晶体管引脚布局，便于集成到各种PCB设计中。其M174封装提供了良好的热传导路径，有助于将工作时产生的热量高效散出，维持芯片结温在安全范围内，从而保障长期工作的稳定性。用户可通过ST中国代理获取详细的技术资料、应用笔记以及可靠的原厂供货渠道支持。

这款器件典型的应用场景包括专业通信基站中的功率放大器、广播发射机、工业射频加热设备以及航空通信系统等需要大功率、高稳定性射频输出的领域。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设备和备件市场中，它依然是一款备受认可的高性能解决方案，其设计理念与性能参数对后续产品的开发具有重要的参考价值。

• 型号:SD2941-10R
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:M174
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET 50V M174
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 通道
• 频率:175MHz
• 增益:15.8dB
• 电压 - 测试:50 V
• 额定电流（安培）:20A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:250 mA
• 功率 - 输出:175W
• 电压 - 额定:130 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:M174
• 供应商器件封装:M174
• 想获取SD2941-10R的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

SD2941-10R是ST意法半导体生产的一款N通道射频功率MOSFET，采用M174封装。该器件设计用于HF/VHF/UHF频段，在175MHz中心频率下，能够提供高达175W的射频输出功率，并实现15.8dB的功率增益，有效简化了驱动级设计。

其核心电气参数包括130V的额定电压和20A的额定电流，确保了在高功率应用中的稳健性。该晶体管在50V测试电压下的特性已得到明确表征，适用于要求高功率、高可靠性的专业射频放大场景。